Ang pagkalkula sa kolektor na agos (Ic) sa isang bipolar junction transistor (BJT) ay mahalaga sa pagdidisenyo at pagsusuri ng mga electronic circuits.Ang gabay na ito ay nagbibigay ng isang malinaw, hakbang-by-steep na proseso upang malaman ang Ic batay sa ibinigay na parameters at karaniwang mga kondisyon ng sirkito.
Pag - unawa sa mga Parametrong BJT
Ang mga pangunahing parameter na kasangkot sa pagkalkula ng daloy ng kolektor ay kinabibilangan ng base agos (Ib), ang kasalukuyang pakinabang ( ⁇ ), at ang collect-emite volve (Vce). Ang kasalukuyang pakinabang, ⁇ , ay isang sukat kung gaano kalaki ang nailalapat na baseng daloy sa kompyuter circuit.
Hakbang 1: Alamin ang Base Kasalukuyan (Ib)
Kung kilala ang base boltahe (Vb) at ang base deflictor (Rb), kalkulahin ang Ib gamit ang batas ni Ohm:
Ib = (Vb - Vbe) / Rb
kung saan ang Vbe ay karaniwang nasa 0.7V para sa silicon BJTs.
Hakbang 2: Pagtaya sa Kolektor na Kasalukuyan (Ic)
Minsang malaman ang Ib, paramihin ito sa kasalukuyang pakinabang (imperyo) upang mahanap ang Ic:
Ic = ⁇ ⁇ Ib[
Karagdagang mga Pag - aasikaso
Ang kasalukuyang kolektor ay naiimpluwensiyahan din ng kolektor-emitter boltahe (Vce) at ng kargang prospekto (Rc). Ensurye ang transistor ay kumikilos sa aktibong rehiyon nito para sa mga tumpak na kalkulasyon. Kung ang Vce ay bumababa sa isang tiyak na antas, ang transistor ay maaaring pumasok sa staturiation, na umaapekto sa Ic.
- Ibalik sa dati ang transistor operation mode
- Gumamit ng tumpak na mga pamantayan sa Vbe at sa ⁇
- Ulat ng mga paglaban sa sirkito