Ang on-resistance (Rds(on)) ay isang mahalagang parameter sa mga aparatong MOSFET, na nagpapahiwatig ng resistansiya sa pagitan ng pag-iiba ng drenahe at pinagmulan kapag ang aparato ay binuksan. Tumpak na kalkulasyon ng Rds(on) ay tumutulong sa pagdidisenyo ng mga mahusay na circuits at pagpili ng mga angkop na bahagi.
Pag-unawa sa Pag-iral
Ang on-resistance ay naiimpluwensiyahan ng mga katangiang pisikal at kalagayang pang-operasyon ng aparato.Ito ay umaapekto sa dispiksiyon ng kuryente at heat generation sa MOSFET. Lower Rds(on) Ang mga halaga ay kanais-nais para sa mga mataas na aplikasyong pang-effience.
Mga Hakbang Upang Suriin ang Patuloy na Pag - unlad
Upang kalkulahin ang Rds(on), sukatin ang boltaheng tumutulo sa ibayo ng mga linya at source terminal kapag ang MOSFET ay lubos na naka-scan, at hatiin sa pamamagitan ng agos ng drenahe. Gamitin ang pormula:
[ds(on)[[ = Vds[ / Id[[[[[FLT:[[[[[[LT:[[[[[[[[[LT:7]][[[[[[[[CLT:[C]]]
Praktikal na mga Pag - iingat
Ang Ensure the MOSFET ay kumikilos sa loob ng kanyang itinakdang tornvot upang makamit ang isang tunay na on-state.sukat ang boltahe at kasalukuyang sa ilalim ng mga patuloy na kondisyon upang makakuha ng tumpak na Rds(on)[1][kailangan ng sanggunian]. Ang temperatura ay nakakaapekto rin sa resistansiya; magsagawa ng mga sukat sa nilalayong temperaturang pagpapatakbo.
Karagdagang mga Tip
- Gumamit ng eksaktong multimeter o source-mediate unit para sa mga sukat.
- Gumawa ng mga pagsubok sa rated gate volvory ng aparato.
- Itala ang mga sukat sa iba't ibang daloy upang maobserbahan ang linearity.
- Isaalang - alang ang thermal effects sa panahon ng high-current test.