Kung Paano Lakalkulahin ang Dinggain sa Mosfet: Isang Praktikal na Paraan

Mahalaga ang pagkalkula sa daloy ng tubig sa MOSFET para sa pagdidisenyo at pagsusuri ng mga electronic circuit.

Pag - unawa sa MOSFET Operating Regions

Ang isang MOSFET ay pangunahin nang gumagana sa tatlong rehiyon: cutoff, tride (linear), at sateguration.

Mga Pangunahing Parametro Para sa Pagkalkula

Upang matantiya ang agos ng tubig, kailangan mo ang sumusunod na mga parameter:

• [_GS[[[: Gate-to-source volve
• [_DS[[[: Dirain-to-source volve
• _th[[[:[Treshold volve]:[Treshold volve
• W: Width of the MOSFET channel
• L: Haba ng lagusan
• _n[[: Electron alving]: Electron alving
• C_]ox[[: Oxide capacitence kada unit area

Pagkalkula sa Larinyo sa Kasalukuyang Pag - unlad

Kapag ang MOSFET ay kumikilos sa staturiation, ang agos ng drenahe (I_D) ay maaaring kalkulahin gamit ang:

[I_D[[ =[[[2]][_n[ * C_{ox[[[FLT:[[[[[[T][[[T][[[T][[T][[T][[T][[[T][[T][[[T][T][[[[T][T][[[[T][[T][[[[[T][[[T][T][[[[[[[[C]:[[[[C]]:[[[[[[[[[[C]]]:[[[C]]]]][[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[C]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]}

Pagkalkula sa Larink Kasalukuyan sa Rehiyon ng Triode

Sa rehiyon ng linear o triode, ang agos ng tubig ay ibinibigay ng:

[I_D[[ =_n[ * C_{ox[[FLT:[[[[T]] * [W / L]] * [V[[[[CL]:[[[[T][[T:[T][T:[T][[T][T][T:[T][[T][T][T][T][T][C.[C.[C.[C.[C.[T][C.[C.[C.[C.[C.[C.[C][C.[[[C.[C]:[C]][C.[C.[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[C]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]:[[[[[[[[[[[[[}

Praktikal na mga Hakbang sa Pagkalkula

Sundin ang mga hakbang na ito para sa isang tumpak na kalkulasyon:

• Alamin ang rehiyon ng operasyon na batay sa V_GS at V_DS[.
• Gamitin ang ekwasyon ng ekwasyon ng numerasyon kung V_DS[ ⁇ (V_GS - V_th[).
• Gamitin ang triode ekwasyon kung V_DS < (V_GS - V_th]].
• Insert ang mga parameters sa angkop na pormula.
• Suriin ang agos ng tubig na may tubig.