Ang naturang-in potensiyal sa isang p-n junction ay isang mahalagang parameter na nakakaimpluwensiya sa pag-aasal ng mga aparatong semiconductor.Ito ay maaaring matiyak sa pamamagitan ng iba't ibang pamamaraan, kabilang ang mga kalkulasyong teoretikal at mga sukat na eksperimental. Ang gabay na ito ay nagbibigay ng praktikal na mga hakbang upang makalkula nang tumpak ang nasabing-in potensiyal.

Ang Toretical Aspeto ng Itinayong-in Potensiyal

Ang pinakakaraniwang pamamaraan ay ang paggamit ng doping concentrations ng mga rehiyon ng p-type at n-type. Ang pormula ay:

[[[[[[[[[1]][[[[ = [kT/q]d / n[FLT:[8][T:[T][2][[[[[[[[[[[[[]][[[T][[[T][[T][[[[T][[[T][[[[T][[[2][2][[[[[[[[T]]]][[[[[[[[[[C]]]]]]]]]]][[[[[[[[C]]]]]]]]]]

Saan:

  • V[[[[ = made-in na potensiyal
  • k = Laging Boltzmann
  • T = temperatura sa Kelvin
  • q = elementaryang paratang
  • N]a[[ = tanggapin ang doping cursion
  • Nd[[ = donor dopping cursion
  • n [[[[ =[likas na konsentrasyon ng carrier

Mga Pamamaraan sa Pag - eeksperimento

Ang isang praktikal na pamamaraan ay kinasasangkutan ng pagsukat ng lapad ng lupa at ng mga itinayong-in electric field. Ang mga pamamaraang ito ay kinabibilangan ng capacitence-voltage (C-V) profilling at kasalukuyang-voltage (I-V) na mga sukat. Ang mga pamamaraang ito ay nagbibigay ng empirikal na datos upang tantiyahin ang potensiyal.

Praktikal na mga Hakbang Para sa Pagsukat

Upang alamin ang naturang-in na potensiyal sa eksperimento:

  • Ihanda ang p-n junction device at i-konekta sa measure setup.
  • Gumawa ng mga sukat na C-V upang makuha ang pagkaubos ng capacitence sa iba't ibang boltahe.
  • Plot 1/C versus volve at mahanap ang interception upang tantiyahin ang naturang-in na potensiyal.
  • Sa alternatibong paraan, sukatin ang open-circuit volvoy sa ilalim ng mga kondisyong balanse.