Ang pagpili ng tamang MOSFET para sa mataas na-efficiency electronic na mga disenyo ay nangangailangan ng pag-unawa sa on-resistance (Rds(on) nito. Ang parameter na ito ay nagreresulta sa pagkawala ng kuryente at thermal na pagganap. Ang tumpak na determinasyon ng Rds(on) ay tumutulong upang maging perpekto ang kahusayan at pagkamaaasahan ng sirkito.

Pag-unawa sa MOSFET on-Resistance

Ang on-resistance ang resistansiya sa pagitan ng mga terminal ng drenami at source kapag ang MOSFET ay lubos na na-obserba. Ito ay isang kritikal na salik sa mga transaksyon ng kuryente, na nakakaapekto sa mga pagkalugi ng pag-aasal at heat agement. Lower Rds(on) na mga halaga na karaniwang humahantong sa mas mataas na kahusayan.

Kung Paano Asukatin ang mga Rd(on)

Ang pagsukat ng Rds(on) ay kinasasangkutan ng paglalagay ng isang tiyak na galyon ng tarangkahan upang lubos na ma-ikot ang MOSFET at pagsukat ng boltaheng patak sa ibayo nito habang dumadaan sa isang alam na agos. Ang resistansiya ay kinakalkula gamit ang batas ni Ohm:

[Rds(on) = Voltage Drop / Diain Current

Mga Salik na Nakaaapekto sa mga Pamahayan(on)

Ang ilang mga salik ay nakakaimpluwensiya sa mga Rd(on) ng isang MOSFET, kabilang ang:

  • Gate-to-source boltahe (Vgs)
  • Ang temperatura
  • Pag - unlad sa Iba't Ibang Uri
  • Pasulungin ang pagtanda

Mahalagang isaalang-alang ang mga salik na ito sa panahon ng pagsubok upang matiyak ang tumpak at maaasahang mga sukat na Rd(on) para sa mga mataas na-effience application.