Matematikal na Modelo sa Inhinyeriya
Mga Pagkalkula sa Paglilipat ng Saturasyon at Pagputol ng mga Rehiyon
Table of Contents
Mahalaga ang transistor operation regions para sa pagdidisenyo at pagsusuri ng mga electronic circuits. ang pag-unawa kung paano magsagawa ng mga advanced kalkulation ay tumutulong sa pag-alam kung ang isang transistor ay nasa staturiation, cutoff, o aktibong rehiyon. Ang artikulong ito ay nagbibigay ng isang direktang paglapit sa mga kalkulasyong ito.
Pag - unawa sa mga Rehiyon ng Transistor
Ang isang bipolar junction transistor (BJT) ay nagpapatakbo sa iba't ibang rehiyon depende sa mga boltaheng inilalapat sa mga terminal nito.Ang dalawang pangunahing rehiyon ay napuputol at natututunan.Sa cutoff, ang transistor ay wala, na walang kasalukuyang daloy. Sa staturiation, ang transistor ay ganap na naka-ere, na nagpapahintulot ng sukdulang daloy ng kuryente.
Mabilis na Pagtaya
Upang matiyak ang rehiyon ng operasyon, sundin ang mga hakbang na ito:
- Alamin ang boltahe ng suplay at ang mga resistensiya na konektado sa transistor.
- Taklasin ang base agos (IB) gamit ang batas ni Ohm na nakabatay sa baseng resistor at input volve.
- Alamin ang kasalukuyang bilang ng kolektor (IC) gamit ang kasalukuyang pakinabang (imperyo) ng transistor: IC[ = ⁇ ⁇ ⁇ I[[FLT:[4]]B[[.
- Itaya ang batas ng kolektor-emitter (VCE[) gamit ang batas sa boltahe ng Kirchhoff: VC - I[FLT:[4]C[[FLT:[FLT:[5]] × R[[[[[[[[[L][[[[[[[CLT][[[[[[T][[[T][T][T][T][T][T][T][T][T][T][T:[T][8][8][8][8][9][9][[9][[[[[[[[[[[9][5][[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[T]]]]]]]]]]]]]]]].
- Ihambing ang V sa fund-emitter na boltahe (VCE(sat)) at ang base-emitter na boltahe (V]BE) sa may pasukang-patimo upang matukoy ang rehiyon.
Pagtiyak sa Saturasyon at Pagputol
Kung ang V[ ay mas mababa o katumbas ng VCE(sat) (karaniwang sa paligid ng 0.2V), ang transistor ay nasa staturiation. kung ang V[BE ay nasa ibaba ng stage runnifture (sa pagitan ng silicon BTJT), kung ang transistor ay nag-cell sa mga spanksing compositions.