Ang mga seramik na silicon carbide (SiC) ay malawakang ginagamit sa mga industriyang nangangailangan ng mataas na resistensiya dahil sa katigasan at tibay nito.
Materyal na Pagpili at Paghahanda
Ang unang hakbang ay ang pagpili ng mataas-quality SiC powders na may angkop na particle na sukat. Kabilang sa tamang paghahanda ang pagsi-eeve at pagpapatuyo upang matiyak ang phenomena.Ang pagkontrol sa antas ng kadalisayan ng mga hilaw na materyales ay mahalaga upang maiwasan ang mga depekto sa panahon ng pagbababanghay.
Pamimihasa sa Pag - abuso sa Proseso
Ang mga sindromang parameter ay malaki ang impluwensiya sa mga huling katangian ng mga seramiko ng SiC. Ang pagbabago ng temperatura, presyon, at atmospera ay maaaring magpabuti ng densidad at magbawas ng porosidad.Ang mainit na pagpindot at pag-imbestiga ng plasma ay karaniwang mga pamamaraan upang makamit ang pinakamahusay na depinitasyon.
Paggamot at Pag - aayos sa Paibabawan
Ang pagpapahid ng mga pang-ibabaw na panggamot o mga pambalot ay nakapagpapagana ng mga pang-iwas. ang mga pamamaraang katulad ng laser glazing o kemikal na deporasyon ay lumilikha ng mga suson na pananggalang na nagpapabawas ng pang-ibabaw na pang-ibabaw na pang-ibabaw na pang-alis at nagpapabuti ng katigasan.
Ang Mabuting Pagkontrol at Pagsubok
- Mahirap na Pagsubok
- Magsuot ng pagsusuri laban sa paglaban
- Pagsusuri sa ekwasyon
- Pagsukat sa Density