Ang Threshold boltahe ay isang pangunahing parameter sa disenyo at operasyon ng semiconductor transistor. Ito ay nagtatakda ng minimum na gate-to-source boltahe na kinakailangan upang i-ikot ang transistor. Ang tumpak na pagpapalagay ng boltaheng ito ay mahalaga para sa maaasahang pag-ganap at kahusayan ng sirkito.
Ang Pagkaunawa sa mga Talento
Ang boltahe ng pasukan, na kadalasang tinutukoy bilang Vth, ay depende sa iba't ibang salik kabilang ang aparatong heometriya, doping curnents, at materyal na mga katangian.Naiimpluwensiyahan nito kung paano nagbabago ang mga transistor sa pagitan at saff states, na nakaaapekto sa pagkonsumo ng kuryente at sa pag - ikot ng bilis.
Pagkalkula sa mga Hagdan ng Treshold
Karaniwan nang nasasangkot sa mga kalkulasyon ang sumusunod na mga parameter:
- Ang trabaho ay naiiba sa pagitan ng materyales ng tarangkahan at semiconductor
- Oxide ang kapal at di - nagbabagong di - normal
- Pagtutuon ng pansin sa substrate
- Ang paratang na nakulong sa oxide
Ang pangunahing ekwasyon para sa circulation volve sa isang MOSFET ay:
[[[[[[[[[[[1]]][[[ = V]FB + 2°F[[[T:[[FLT:[[[[[T][[[[FLT:[[[[[[[[[[T]]]][[[T][[T][T][T][[T][T][T][T][[T][T][[T][[T][T][[T][[[[[T][[[[[T][[[[[[[T]]]]]][[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[T]]]]]]]]
Mga Mungkahi sa Disenyo Para sa Tumpak na Estasyon
Upang mapasulong ang kawastuan ng pagpapahalaga sa circulation, isaalang - alang ang sumusunod na mga tip:
- Gumamit ng eksaktong mga doping profile at materyal na mga katangian
- Ulat ng pagkakaiba - iba ng proseso sa panahon ng paggawa ng mga produkto
- Isama ang mga epekto ng pagsilo sa charge at mga interface state
- Gamitin ang mga kasangkapang pangkabit para sa masalimuot na mga kayarian