Mahalaga ang pagkaunawa sa rehiyon ng pagkaubos sa isang jaunding ng PN para sa pagdidisenyo at pagsusuri ng mga aparatong semiconductor.Ang giyang ito ay nagbibigay ng praktikal na mga paraan para sa pagpapaliit ng mga lapad, na tumutulong sa mga inhinyero na maging mahusay sa paggawa ng mga aparato.

Mga Saligang Lugar ng Pag - aalis ng Tubig

Ang rehiyong ito na nasaid ang bilang ay isang lugar sa palibot ng PN junction kung saan ang mga mobile charge carrier ay nauubos na.Nakaiimpluwensiya ito sa mga katangian ng kuryente ng aparato, gaya ng pagkasira ng boltahe at capacitience.

Mga Salik na Nakaaapekto sa Width ng Depletion

Ang lapad ng rehiyong ito ay depende sa ilang salik, pati na ang pag - iisip sa paggamit ng doping, paggamit ng boltahe, at materyal na mga katangian.

Nakapagpapaliit na mga Width ng Pag - aalis ng Pambilisa

Para sa simpleng palagay, ang lapad ng balat (W) ay maaaring kalkulahin gamit ang sumusunod na pormula:

W = ⁇ (2°V / qN)[

Saan:

  • Ang ⁇ ang pinahihintulutan ng semiconductor
  • AngV ang nilalapat na boltahe
  • [ ang pang-agham na paratang
  • N ang doping konsentrasyon

Ang asumproxiasyong ito ay nagpapalagay ng pare-parehong doping at mga pagpapabaya sa mga side effects.Para sa mas tiyak na kalkulasyon, inirerekomenda ang mga pamamaraang numero o mga kasangkapang regulator.