Mahalaga ang pag-unawa sa capacitence ng MOSFETs para sa pagdidisenyo ng mga circuit na nangangailangan ng high-speed switching. ang tumpak na kalkulasyon ay tumutulong upang maging lubos na mahusay ang pagganap at mabawasan ang pagkawala ng kuryente. Ang artikulong ito ay nagbibigay ng isang sumaryo ng mga pangunahing konsepto at pamamaraan ng pagkalkula na may kaugnayan sa MOSFET capacitence.

Mga Uri ng "DOSFET Capacitence "

Ang mga MOSFET ay may tatlong pangunahing mga kalaparan: tarangkahang-to-source (Cgs), tarangkahang-to-drain (Cgd), at drop-to-source (Cd[FLT][5]] [[FL]]] [[FL]]] Ang mga ito ay nag-eeebolbrance sa mga pagbabago at pagkonsumo ng bilis:[T.[T.[[T] [[T] [[T] [[T] [[T] [[T] [[T] [[T] [[T] [[T] [[T] [[T] [[T] [[T] [[T] [[T] [[T] [[[[[T] [[[T] [[T] [[T] [[T] [[[T] [[T] [[T] [[T] [[T] [[CC

Pagkalkula sa Pag - iingat ng Pintuang - daan

Ang tarangkahang-to-source capacitence (Cgs[) ay maaaring tantiyahin gamit ang gate oxide capacitence kada unit area (Cox) at ang pook ng tarangkahan (A):

C]gs[ ⁇ C[ ⁇ A][[[[[]

Kung saan ang Cox ay kinakalkula bilang:

C]ox = ⁇ ox / tox[[[[FLT:[[[[[[[[LT:6]]

Epekto sa Mabilis na Pag - iiska

Ang Capacitence ay nakakaapekto sa witch na oras ng MOSFETs. Ang oras ay laging (Geriso) ibinibigay ng:

⁇ = R ⁇ C

Kung saan ang R ay ang resistansiya sa circuit. Ang Lower capacitence ay nagbubunga ng mas mabilis na paglipat, na kritikal sa high-speed applications.

Praktikal na Halimbawa ng Pagkalkula

Binigyan ng MOSFET na may kapal na 2 nm at isang oxide dilectric constant (intelectric constant (intelectox) na 3.9 × 8.85 × 10-12 F/m, at isang tarangkahang may sukat na 10° 10°m ⁇ 10 ⁇ , ang tarangkahan ay kinakalkula:

C[ = [3.9 × 8.85 × 10[-12) / (2 × 10-9[[[FLT:[[[FL]]) = 1.72 × 10[[[[[[[[[[[[[[T]-3]-[3][[[CLT:[7][2][2][2][[2][[T][[[2][[[[[T][[[[[[[T]][[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[2]]]]]]]]]]]]]

A = 10 ⁇ ⁇ 10 ⁇ = 1 × 10-10 m[2]]

C [[1][72 ⁇ 10[-3 × 1 × 10[-10[[[[FLT:[[[[[[[5]] = 1.72 × 10[[[[[[[[[CLT:[[[C]-13][[[FLT:[[[CLT] F.