Pag - unawa sa Pagguho ng Disenyo: Disenyong Implikasyon at Pagsubok

Ang baligtad na boltahe ng breakdown ay isang mahalagang parameter sa disenyo at pagsubok ng mga aparatong semiconductor, lalo na ang mga diode.

Ano ba ang Reverse Destruction Voltage?

Ang reverse breakdown volvory, na kadalasang tinutukoy bilang V]BR, ay ang boltahe kung saan ang isang diode o katulad na aparato ay nagsisimulang kumilos nang malaki sa baligtad na direksiyon.Ang kababalaghang ito ay nangyayari kapag ang electric field sa loob ng aparato ay naging sapat na malakas upang magkaroon ng biglaang pagtaas ng daloy, na posibleng makapinsala sa aparato kung lumagpas.

Mga Implikasyon sa Disenyo

Dapat pumili ang mga disenyador ng mga sangkap na may baligtad na boltahe na mas mataas kaysa sa pinakamalaking boltahe na inaasahan sa sirkito.

Sa mga aplikasyong pang-volve, ang pagpili ng isang diode na may angkop na V[BR[kailangan ng sanggunian] ay nakakaimpluwensiya sa kabuuang pagkamaaasahan at haba ng buhay ng sistema.[kailangan ang mga tamang margin para sa mga spiral surge at pansamantalang kondisyon.

Pagsubok sa Pagkawasak

Ang pagsubok ay kinasasangkutan ng unti-unting pagdaragdag ng baligtad na boltahe na ipinahid sa isang aparato hanggang sa maganap ang pagkasira.[kailangan ng tumpak na pagsusuri] Ang isang mabilis na pagtaas ng kabaligtarang agos ay mapapansin bilang ang VBR. Ang tumpak na pagsusuri ay nangangailangan ng kontroladong kondisyon upang maiwasan ang pinsala sa aparato sa panahon ng pagsukat.

Kabilang sa mga pamantayang pamamaraan ng pagsubok ang paggamit ng kurbang bakasr o espesyalisadong tester na may eksaktong kontrol at sumusukat ng mataas na boltahe.Ang pag-iinsek ng mga hindi nagbabagong pamamaraan sa pagsubok ay tumutulong sa paghahambing ng mga aparato at pagpapatunay ng mga detalye.

Sumaryo