Ang mga mababang-noise amplifier (LNAs) ay mahahalagang mga bahagi sa mga sistemang pangkomunikasyon, kung saan pinatitindi nito ang mahihinang mga hudyat nang hindi gaanong dumadami ang ingay. ang mga transistor ay karaniwang ginagamit sa mga LNA dahil sa kanilang mataas na pakinabang at dalas na pagtugon. Ang tamang disenyo ay kinasasangkutan ng pag-unawa sa mga katangiang transistor at paglalapat ng espesipikong mga kalkulasyon upang maging perpekto ang pagganap.

Mga Simulain ng Mababang-Noise Amplifier Design

Ang pangunahing tunguhin sa pagdidisenyo ng isang LNA ay bawasan ang bilang ng ingay habang pinananatili ang sapat na pakinabang. Ang transistor selection ay kritikal; ang mga aparatong may mababang ingay parameter ay mas pinipili. Ang input impendience na tumutugmang network ay dinisenyo upang itugma ang pinagmulang impluwensya sa optimikong ingay ng transistor na impluwensya, pagbabawas ng kontribusyong ingay.

Mga Pangunahing Pagkalkula sa Transistor-Based LNAs

Ang pagdisenyo ng isang LNA ay kinasasangkutan ng ilang mga kalkulasyon, kabilang ang pagtiyak ng pagkiling na punto, input impendience, at ingay na pigura. Ang mga transistor's ingay parameter, tulad ng minimum na bilang ng ingay (Fmin), katumbas ng ingay resistance (Rn), at optimikong pinagmulan impluwensya (Rs), ang gumagabay sa mga kalkulasyong ito.

Halimbawa ng Pagkalkula sa Igos ng Ingay

Halimbawa ang isang transistor ay may minimum na bilang ng ingay (Fmin) ng 0.5 dB, isang katumbas na ingay resistance (Rn) ng 2 ohms, at ang pinagmulang impeachence (Rs) ay 50 ohms. Ang aktuwal na bilang ng ingay (F) ay maaaring tinatayang gamitin:

F = Fmin + (4 * Rn / Rs)[

Paghalili sa mga pamantayan:

F = 0.5 + (4 * 2 / 50) = 0.5 + 0.16 = 0.66 dB]

Ang kalkulasyong ito ay tumutulong sa pagsusuri sa inaasahang pagkilos ng ingay ng amplifier at pumapatnubay sa katugmang disenyo ng network.