Ang pagdidisenyo ng mahusay na mga switch ng kuryente ay mahalaga para sa pag - e - e - e - enjoy ng mga electrical system. Ang mga MOSFET ay karaniwan nang ginagamit dahil sa kanilang kahusayan at mabilis na pagpapalit ng mga kakayahan.

Pag - unawa sa mga Parametrong MOSFET

Kabilang sa mga susing parameter ang drop-source boltahe (VD), drop agos (ID), tarangkahang pasukang-daang-daang-daang-daang-daang-daan (VGS(th)[), at RDS)[T:[T:7] Ang mga pamantayang ito ay ang mga ESPLEPLES.[C.E.E.E.E.E.E.E.E.

Pagkalkula sa Di - Pagkahikayat ng Kapangyarihan

Ang pag-iiba ng kuryente sa isang MOSFET ay pangunahing dahil sa RDS(on) at pagpapalit ng mga pagkalugi. Ang acting power love (P[2] ⁇ d) ay maaaring kalkulahin gamit:

P[[[[ = ID[[[[FLT:[[9]][[[[[[[[[[[[[[[[[[T]][[[[[[[[[T:]][[[[[[[[[[[[[[[T]]]]]][[[[[[[[9]]]]]

Ang mga pagkalugi sa pamamagitan ng pangkukulam ay depende sa dalas at boltahe ng sasakyan.

Praktikal na mga Paraan ng Pagkalkula

Upang makapili ng angkop na MOSFET, sundin ang mga hakbang na ito:

  • Alamin ang pinakamalaking boltahe at ang kasalukuyang mga kahilingan.
  • Ang mga pagkalugi sa pag-aasal na taya gamit ang RDS(on) at daloy ng karga.
  • Tinatayang nagpapabago ng mga pagkalugi batay sa pagpalit ng dalas at pagsingil ng tarangkahan.
  • Pumili ng MOSFET na may boltahe at kasalukuyang mga rating na labis na nakalkula.
  • Pabagu - bagohin ang thermal management na mga pangangailangan batay sa mga tantiya ng pag - aalis ng kuryente.

Ang paggamit ng mga pamamaraang ito ay tumitiyak sa napiling MOSFET na gumagana nang mahusay at may katatagan sa loob ng sirkito.