Ang mga transistor ng Field-production (FETs) ay mahahalagang mga bahagi sa mga electronic circuit, na ginagamit para sa amplipikasyon at pag-iiba. Ang pagkalkula ng pakinabang ng isang FET ay kinasasangkutan ng pag-unawa sa mga parameter nito at paglalapat ng mga espesipikong pormula. Ang artikulong ito ay nagbibigay ng isang admix-by-steep methodolohiya upang tumpak na matukoy ang pakinabang ng isang FET.

Pag - unawa sa mga Parametrong FET

Bago kalkulahin ang pakinabang, mahalagang matukoy ang mga susing parameter ng FET, kabilang ang transconductance (gm) at output adminience (gds). Ang mga parameter na ito ay nakakaimpluwensiya sa kakayahan ng aparato na pang-impormasyon.

Hakbang-by-Track Asspectation Proseso

Ang pangunahing pormula para sa maliit na-signal boltahe na pakinabang (Av) sa isang FET ay:

Av[ = -gm R load[[[[FLT:[[[[[[[[[[[[[[6]]]

Kung saan ang R ay ang kargang resistansiya na konektado sa FET. Upang magpatuloy:

  • Alamin ang transconductance (gm) mula sa aparatong datasheet o panukat.
  • Alamin ang panlaban sa dalag (R load) sa sirkito.
  • Tuusin ang pakinabang na ginagamit ang pormula sa itaas.

Karagdagang mga Pag - aasikaso

Para sa mas tumpak na mga resulta, isaalang-alang ang epekto ng output conductance (gds) at ang drop-source volve. Ang mga salik na ito ay bahagyang makapagpapabago sa pag-unlad na kalkulasyon, lalo na sa mga high-frequency application.