Ang Charg carrier alving ay isang mahalagang parameter sa pag-unawa ng mga katangiang elektrikal ng mga semiconductor.Nasusukat nito kung gaano kabilis makakapaglipat ang mga elektron o butas sa isang materyal kapag nilagyan ng electric field. Ang gabay na ito ay nagbibigay ng isang malinaw at hakbang-by-paa-paa-pagtaya ng charge carrier moving.

Pag - unawa sa mga Saligang Bagay

Ang kakayahan ay karaniwang ipinapahayag sa mga yunit ng cm[/V·s. Upang makalkula ito, kailangan mong malaman ang pag-anod ng mga tagapagdala ng karga at ng elektrikong field na inilalapat. Ang pundamental na pormula ay:

⁇ = vd / E]]

Kailangang Data

  • DISPLEM (vd) ng mga carrier carrier
  • Pag - aalis ng kuryente sa kabila ng materyal

Ang drift stream ay maaaring sukatin gamit ang mga pamamaraang gaya ng Hall effect measure o hinango mula sa kasalukuyang impormasyon at carrier curnation.Ang electric field ay kinakalkula sa pamamagitan ng paghahati ng nailalapat na boltahe sa pamamagitan ng haba ng sampol.

Mga Hakbang sa Pagkalkula

Sundin ang mga hakbang na ito upang maging matatag ang pagkilos:

1. sukatin o kunin ang anod ng mga carrier sa semiconductor.

2. Alamin ang electric field sa pamamagitan ng paghahati sa bahaging may boltahe (V) ayon sa haba (L) ng sampol:

E = V / L]

3. Suriin ang pagkilos gamit ang pormula:

⁇ = vd / E]]

Karagdagang mga Tip

Ang mga sukat ng sensure ay kinukuha sa ilalim ng mga hindi nagbabagong-state na kondisyon para sa katumpakan. tumpak na account para sa mga epekto ng temperatura, habang ang pagkilos ay maaaring iba-iba sa mga pagbabago ng temperatura. Gamitin ang hindi nagbabagong unit sa buong kalkulasyon upang maiwasan ang mga pagkakamali.