Pagkalkula sa Kaunlaran (rds(on) para sa Asembleyang Mosfet Selection sa Disenyo ng Disirkito
Ang pagpili ng tamang MOSFET para sa isang circuit ay kinasasangkutan ng pag-unawa sa on-resistance nito, na kilala bilang Rds(on). Ang parameter na ito ay umaapekto sa kahusayan ng kuryente at heat ager. Ang tumpak na kalkulasyon ng Rds(on) ay tumutulong sa pagpili ng isang aparato na nakatutugon sa mga kahilingan sa pagsasagawa habang binabawasan ang pagkawala ng enerhiya.
Pag-unawa sa mga Rd(on)
Ang Rds(on) ang resistansiya sa pagitan ng mga terminal ng drenahe at source kapag ang MOSFET ay lubos na naka-ikot. Ang mga mas mababang halaga ng Rds(on) ay nagpapakita ng mas mahusay na pag-aasal na may mas kaunting lakas na dissipasyon. Ang parameter na ito ay binitukoy sa datasheet at nag-iiba sa temperatura at gate volyum.
Pagkalkula ng mga Rd(on) sa Disenyo ng Disirktibidad
Upang kalkulahin ang epektibong Rds(on) sa isang sirkito, isaalang-alang ang sukdulang halaga na Rds(on) na inilaan ng tagagawa sa isang tiyak na skrolyon ng tarangkahan.angkop para sa mga epekto ng temperatura at mga kondisyon ng pagpapatakbo. Ang pormula ay tuwid:
Effective Rds(on) = Rds(on) sa mga itinakdang kondisyon
Mga Salik na Nakaiimpluwensiya sa mga Rd(on) Pagpili
- [Gate Voltage: Ang Ensury sa tarangkahang drive volt ay sapat na upang lubos na ma-cread ang MOSFET, na binabawasan ang Rds(on).
- Ang Temperature: Ang Rds(on) ay tumataas sa temperatura, kaya isaalang-alang ang thermal management.
- [Current Requires: Pumili ng MOSFET na may Rds(on) na may sapat na baba upang mahusay na pangasiwaan ang sukdulang daloy ng karga.
- Deficiation Dissipation: Ang pag-aanalisa ng kuryente gamit ang P = I2 × Rds(on) upang matiyak ang mga limitasyong thermal ay hindi nalalampasan.