Pagkalkula sa mga Rehiyon ng Depleksiyon sa Schotty at P-n Diodes para sa Pinahusay na Disenyo ng Device

Mahalaga ang pag-unawa sa rehiyong pampaubos sa mga diodes para sa mahusay na paggawa ng aparato. ang tumpak na kalkulasyon ng rehiyong ito ay tumutulong sa pagdidisenyo ng mas mahusay na Schotty at p-n diode, na malawakang ginagamit sa mga sirkitong elektroniko.

Rehiyon ng Pag - aalis ng Tubig sa Schotty Diodes

Sa Schotty diodes, ang rehiyong pampanipis ay nabubuo sa metal-semiconductor interface.Ang lapad nito ay nakasalalay sa trabahong pagkakaiba at antas ng doping. Ang pagkaubos ng lapad ay maaaring kalkulahin gamit ang naturang-in na potensiyal at doping konsentrasyon.

Ang lapad ng balat (W) ay ibinibigay ng:

W = sqrt( (2 * ⁇ * V bi) / (q * N d) )[

Kung saan ang ε ang entidad ng semiconductor, ang V bi ay ang ed-in potensiyal, ang q ay ang elementaryang singil, at ang N d ay ang concentrate ng donor.

Rehiyon ng Paglalaho sa mga Diode ng p-n

Sa p-n diodes, ang rehiyong pampaubos ay nabubuo sa junction sa pagitan ng mga p-type na materyales.Ang lapad nito ay nakakaimpluwensiya sa pasulong at baligtad na gawi ng diode.Ang pag-kalkula ng lapad na ito ay kinasasangkutan ng mga katulad na prinsipyo ngunit isinasaalang-alang ang magkabilang panig ng junction.

Ang pagnipis ng lapad (W) sa isang p-n junction ay kinakalkula ng:

W = sqrt( (2 * ⁇ * (V bi + V R) / (q * (N A + N D) / (N A * N D) )[

Kung saan ang V R ang nilalapat na reverse bias, ang N A at N D ay ang pagtanggap at donor circulations ayon sa pagkakasunod.

Mga Pag - aaral sa Disenyo

Ang wastong pagnipis ng mga sukat ng rehiyon ay nagpapangyari sa mga inhinyero na mahulaan ang pagkilos ng aparato sa ilalim ng iba't ibang kalagayan.

Kabilang sa mga pangunahing salik na nakaiimpluwensiya sa pagkaubos ng mga lugar ang paggamit ng doping concentitivity, materyal na mga bagay, at ang paggamit ng boltahe.