Pagkalkula sa mga Taglagas at Saturasyong Voltahe sa Bjt Switches Para sa Disenyong Robust
Mahalaga ang pag-unawa sa mga boltaheng cutoff at satuation sa bipolar junction transistors (BJTs) para sa pagdidisenyo ng maaasahang mga transaksyong witch.Ang mga parameter na ito ang nagtatakda sa mga rehiyong nagpapatakbo ng transistor at nakaiimpluwensiya sa kahusayan at katatagan ng sirkito.
Putulin ang Voltage sa mga Siwitan ng BJT
Ang cutoff boltahe ay ang minimum na base-emitter boltahe (VBE) na kailangan upang iliko ang transistor sa. Kapag ang V]BE ay nasa ibaba ng stand na ito, ang transistor ay nananatili sa rehiyon ng cutoff, na gumaganap bilang bukas na switch.[2] Ang boltaheng ito ay nasa paligid 06 hanggang 0.7 volt para sa siliconsJT.
Upang matiyak na lubusang mapuputol ang transistor, dapat na panatilihing mababa ang antas ng boltahe ng base drive.
Ang Saturation Voltage sa BJT Switches
Ang staturiation boltahe (V[sat)[) ay ang collect-emitter volve kapag ang transistor ay ganap na naka-ere. ito ay nagpapakita ng spiral drop sa ibayo ng transistor sa rehiyon ng saturation, karaniwang sa paligid ng 0.1 hanggang 0.3 volts para sa silicon BJTs.
Pagkakamit ng mababang V[[sat)[ ay mahalaga para sa mahusay na pag-ikot, habang binabawasan nito ang pagkawala ng kuryente. Upang maabot ang staturiation, ang pundamental na daloy ay dapat sapat na mataas, kadalasan ay isang multiple ng kinakailangang daloy ng kolektor, upang matiyak ang transistor ay itinutulak malalim sa staturiation.
Pagkalkula sa mga Lagat Para sa Disenyo ng Robust
Ang pagdidisenyo ng isang matipunong switch ng BJT ay kinasasangkutan ng pagpili ng base at kolektor ng boltahe na malinaw na nagbibigay kahulugan sa mga rehiyong natatanggal at satuasyon. kasama rito ang pagtiyak sa base drive boltahe na lampas sa naturang stage sa panahon ng ON states at nananatiling nasa ibaba nito sa panahon ng mga estado ng OFF.
Bukod diyan, mahalaga rin ang paggamit ng mga mardyin ng konserbatibong boltahe para mapanatili ang maaasahang operasyon sa iba't ibang kalagayan.
Sumaryo ng mga Pangunahing Voltahe
- Cutoff Voltage (VBE)[: ⁇ 0.6–0.7 V para sa silicon BJTs]]: ⁇ 0.6–0.7 V para sa silicon BJTs.[[[3]
- [[Talaksan:[[T:1]CE(sat))[:[1.1–0.3 V.
- Base Drive Voltage: Dapat na nasa itaas ang cutoff upang makaliko
- Collector-Emitter Voltage: Dapat na nasa ibaba ng VCE(sat) sa staturiation