Pagkalkula sa Nakapangingilabot na Kaigtingan sa mga Mosfet ng Kapangyarihan: Mga Pag - aaral sa Disenyo at Pinakamahusay na Gawain

Ang pag - e - excurrting stress sa power MOSFETs ay isang mahalagang salik sa pagdidisenyo ng maaasahang mga electronic system.

Pag - unawa sa Nakapupukaw na Kaigtingan

Ang switch stress ay tumutukoy sa mga puwersang elektrikal at thermal na nararanasan ng isang MOSFET sa panahon ng turn-on at turn-off transitions. Ang mga stress na ito ay pangunahing sanhi ng enerhiyang nauubos sa panahon ng mga pagbabagong pangyayari at ang boltahe at kasalukuyang antas na nasasangkot.

Mga Pangunahing Parametro sa Pagkalkula

Ang tumpak na kalkulasyon ay nagsasangkot ng ilang parameter:

Pagkalkula sa mga Kawalan ng Paghimatok

Ang mga pagkalugi sa pamamagitan ng pag - iisip sa enerhiyang nababawas sa bawat transisyon ay maaaring kalkulahin bilang:

E[[[[ = 0.5 ⁇ VDS[ ⁇ ⁇ [D[[[[[T:[[[[T][[[[T][[[T][[[T][[[T][T][[T][[T][[T][T][T][[[T][[T][[T][[[T][[T][[[[[[[[[[[T]]][[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[T]]]]]]]]]]]]]]]

Ang ganap na pagbabago sa pagkawala ng kuryente ay:

Pswitch[ = Eswitch[ × fsw[[[[[FLT:[[[[[LT:6]]]

Mga Pag - iingat at Pinakamabuting Gawain sa Disenyo

Upang mabawasan ang panibagong kaigtingan, isaalang - alang ang sumusunod na mga gawain: