Ang pag-unawa sa pag-iiba ng kuryente sa MOSFETs sa panahon ng high-frequency switching ay mahalaga sa pagdidisenyo ng mahusay na electronic circuits. ang tumpak na kalkulasyon ay tumutulong upang maiwasan ang labis na pag-init at matiyak ang maaasahang pagpapatakbo ng mga aparato ng kuryente.

Mga Saligang Bagay ng Kapangyarihan na Nagkakawatak - watak sa mga MOSFET

Ang pag-iiba ng kuryente sa isang MOSFET ay pangunahing nangyayari dahil sa pag-aasal at pagpapalit ng mga pagkalugi.Ang actaction pagkawala ay nangyayari kapag ang aparato ay nasa on-state, habang ang switching loos ay nangyayari sa panahon ng transaksyon sa pagitan ng on at off states.

Pagkalkula sa mga Kawalan ng Paggawi

Ang pagkawala ng pag - uugali ay maaaring tantiyahin na ginagamit ang pormula:

P[[[[ = I][[[[FLT:[[FLT:[9]][[[[[[[[[[[[[[[[[[[[T]][[[[[[[[[T:]][[[[[[[[[[[[[[T]]]]]][[[[[[[[[[[[9]]]]]]]

Kung saan ang I ay nag-eeeload ang daloy ng karga at RDS(on) ang on-resistance ng MOSFET.

Pagkalkula sa mga Kawalan ng Paghimatok

Ang mga pagkalugi sa pamamagitan ng pag - iimbita ay depende sa boltahe, agos, at oras ng pagpapalit.

P[[[[[[ = 0.5 × VDS ⁇ [[FLT: load[[[[T:[[[[[T][[T][[T][[T][T][[T][T][[T][T][T[T][[T][[T][T][T][T][[T][T][[T][[T][T][T][[[[[[[[[[[T][[T][[[[[[[[[[[[[[[[T]:[[[[T]:[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[T]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]:[

Kung saan ang VDS ang drop-source volve, t at t[[[FLT:[]] ang pagtaas at panahon ng taglagas, at fsw[ ang frequency.

Ganap na Paghina ng Kapangyarihan

Ang kabuuang pag-iiba ng lakas ay ang kabuuan ng pag-aasal at pagpapalit ng mga kawalan:

P [[Talaksan = P + P[Pswitch[[[[[[[[[[[[[[[[[CLT:7]]

Karagdagang mga Pag - aasikaso

Ang mga salik tulad ng device temperature, carrier charge, at areglo ay maaaring makaimpluwensiya sa power dissiption. Ang tamang pagpalubog ng init at pagpili ng device ay mahalaga para sa pangangasiwa ng thermal performance sa panahon ng high-frequency switching.