Ang mga high-frequency application ay nangangailangan ng maingat na optimisasyon ng mga MOSFET upang matiyak ang mahusay na pagganap. ang mga tamang design na prinsipyo at eksaktong kalkulasyon ay mahalaga upang mabawasan ang mga pagkalugi at mapataas ang bilis ng pag-ikot.

Pag - unawa sa mga Parametrong MOSFET

Ang mga key parameter ay nakakaimpluwensiya sa pagganap ng mga MOSFET sa mataas na frequency. Kabilang dito ang pambaleriya, paglaban sa tarangkahan, at parasitikong induktang.Ang tumpak na kaalaman sa mga salik na ito ay tumutulong sa pagdidisenyo ng mga circuit na gumagana nang mahusay.

Mga Simulain sa Disenyo Para sa mga Matataas na MESFET

Ang paggamit ng mababang-inductance na mga plano at short gate na mga koneksiyon ay nagpapababa sa hindi kanais-nais na induktang induktang induktibo.Ang tamang road drive circuitry ay tumitiyak ng mabilis na pag-ikot at pagbabawas ng mga pagkalugi.

Mga Pagkalkula sa Optimisasyon

Ang mga kalkulasyon ay nakatuon sa mga parameter gaya ng pagpapalit ng mga pagkalugi, charge charge, at parasitikong inductances. Halimbawa, ang pag-ikot ay maaaring tinatayang gamitin:

Deficit Loss = 0.5 × Vds × Id × tr / tf

Kung saan ang Vds ay dropped-source boltahe, ang Id ay drop under, ang tr ay pagtaas ng oras, at ang tf ay taglagas. ang mga kalkulasyon na ito ay gumagabay sa sekwensiyang pagpili ng sangkap at mga pagbabago sa disenyo ng sirkito.

Mga Pangunahing Pag - uusap

  • Bawasan ang kawalang - kakayahan ng parasito
  • Gumamit ng angkop na mga tagatanggi sa pintuang - daan
  • Pinagaganda ang pagkakaayos ng mga "scapt "
  • Pumili ng mga MOSFET na may mababang singil sa tarangkahan