Ang wastong pagsusuri ay tumutulong sa pagkontrol sa mga katangian ng kuryente at sa pagtiyak sa maaasahang mga aparato.

Mga Pamamaraan sa Pagsusuri ng Profile

Iba't ibang pamamaraan ang makukuha upang suriin ang doping profiles, bawat isa ay may mga bentaha at limitasyon. Ang mga karaniwang pamamaraan ay kinabibilangan ng secondary ion mass spectrometry (SIMS), pagkakalat ng resistance profilling (SRP), at electrochemical capacitence-voltage (ECV) na sukat.

Pangalawang Bahaging Ion Mass Spectrometry (SIMS)

Ang SIMS ay isang napaka-matalas na teknik na nagbibigay ng detalyadong elementong komposisyon profile. Ito ay kinasasangkutan ng pag-iinam ng ibabaw gamit ang isang pangunahing ion beam at pagsusuri ng mga inilalabas na secondary ion. Ang SIMS ay nag-aalok ng mataas na deep resolution ngunit maaaring maging mapanira at nangangailangan ng calibrasyon para sa qualitative analysis.

Pagpapalaganap ng Paglilinis sa Pamamagitan ng Di - tinatablan ng Gamot (SRP)

Ang SRP ay sumusukat sa resistansiya sa ibayo ng isang semiconductor sampol upang infer doping concentrate. Ito ay kinasasangkutan ng pagpindot ng isang probe laban sa sampol na ibabaw at pagtatala ng mga pagbabagong resistansiya na may lalim. ang SRP ay hindi-destinct ngunit nagbibigay ng hindi gaanong spinial resolution kumpara sa SIMS.

Pamamaraang Electrochemical Capacitence-Voltage (ECV)

Ang ECV profilling ay gumagamit ng mga pamamaraang elektrokemikal upang malaman ang mga antas ng doping. Ito ay kinasasangkutan ng pagbuo ng isang suson ng pagkaubos at pagsukat ng capacitance bilang isang tungkulin ng boltahe. ang ECV ay angkop sa mababaw na doping profile at nagbibigay ng mahusay na qualitative data.

  • MGA SIM
  • Pagpapalaganap ng Paglilinis sa Pamamagitan ng Di - tinatablan ng Gamot (SRP)
  • Electrochemical Capacitence-Voltage (ECV)
  • Mga Hakbang sa Epekto ng Hall
  • Electrochemical Capacitence-Voltage (ECV)