Ang mga doping concentrate ay mga kritikal na parameter sa semiconductor device na inimbento, nakaiimpluwensiya sa mga katangiang elektrikal tulad ng conductivity, carrier alvivity, at kabuuang pag-aayos ng mga aparato.Ang pag-unawa kung paano kakalkula at mag-ayos ng mga antas ng doping ay nakakatulong upang maging mahusay ang kahusayan at pagkamaaasahan ng aparato.

Pagkalkula sa mga Pasukan ng Doping

Ang doping cursion ay karaniwang ipinapahayag sa mga atomo sa bawat cubic cente (cm-3). Upang malaman ang antas ng doping, ang bilang ng mga atomong dopant na ipinakilala sa panahon ng reproduksiyon ay nahahati ng dami ng rehiyong doped. Ang pangunahing pormula ay:

Doping Concentration (Nd[ o N[[) = Bilang ng mga atomong dopant / Tomo ng rehiyon][[[[

Halimbawa, kung 1×1015]] dopant atoms ay ipinakilala sa isang 1×10-4 cm3[[[, ang doping ay 1×10[FLT:[[6]19[[T:[T][[[[[T][[[[T][3][T][3][T][T][9][9][9][T.[[[[[[[[T][[[[[[[T]][[[[[[[[[[[T]]]]]]]]].

Epekto sa Pag - aalis ng Desekto

Ang antas ng doping ay nakaaapekto sa ilang mahahalagang device parameter. Ang mas mataas na tensyon ng doping ay karaniwang nakadaragdag sa aktibidad ngunit maaaring makabawas sa paggalaw ng carrier. sa kabaligtaran, ang mas mababang antas ng doping ay maaaring makapagpabuti sa pagkilos ngunit mabawasan ang aktibidad.

Ang mga epektong ito ay binababalanse ng optimal doping upang makamit ang ninanais na mga katangian ng aparato. halimbawa, sa mga transistor, ang antas ng doping sa pinagmulan at mga rehiyong pang-alis ng tubig ay nakaiimpluwensiya sa daloy at pag-ikot ng bilis.

Praktikal na mga Pag - iingat

Tinitiyak ng mga pagsusuri na ang doping profile ay nagtatagpo sa mga detalye ng aparato, anupat nakaaapekto sa mga parameter tulad ng clock volation at sa daloy ng tubig.

  • Ion implantation
  • Mga proseso ng Difision
  • Mga hakbang sa pag - aalaga ng mga hayop
  • Mga pamamaraan sa pagsukat