Mahalaga ang pag-unawa sa mga nagawang-in potensiyal sa semiconductor junctions para sa pagdidisenyo at pagsusuri ng mga elektronikong aparato.Ang artikulong ito ay tumutuklas ng mga praktikal na pamamaraan upang matiyak nang tumpak ang mahalagang parameter na ito.

Pamamaraan 1: Pagsukat ng Capacitance-Voltage (C-V)

Ang sukat na C-V ay kinasasangkutan ng pagsusuri ng rehiyong pampaliit ng isang diode. Sa pamamagitan ng paglalapat ng baligtad na pagkiling at pagsukat ng capacitance, ang naturang-in potensiyal ay maaaring kalkulahin gamit ang kaugnay na relax:

V bi = (kT/q) * ln(N A * N D / n i^2) + V R[

Kung saan ang V bi ay ang naturang-inpositable, ang N A at N D ay doping concentrates, ang n i ay ang likas na carrier carrier carrier concentration, ang V R ay ang application reverse bias, at ang ibang mga simbolo ay may kanilang karaniwang mga kahulugan.

Pamamaraan 2: Open-Circuit Voltage Method

Ang paraang ito ay sumusukat sa open-cirity volvory (V OC) ng isang diode sa ilalim ng liwanag. Ang V OC ay nauugnay sa mga aksesyon na maaaring-in sa pamamagitan ng ekwasyon:

V OC ⁇ V bi - (kT/q) * ln(I L / I 0)[

Dito, ang I L ang photocursion, at ang I 0 ang kasalukuyang staturiation.Sa pagsukat ng V OC at pag-alam ng kasalukuyang mga halaga, ang V bi ay maaaring tantiyahin.

Pamamaraan 3: Pagiging Elektroluminsence at Photoluminence

Ang mga pamamaraang optiko ay kinasasangkutan ng pagsusuri ng spesipikong spectra ng junction. Ang pinakamataas na emission wavelength ay may kaugnayan sa puwang ng enerhiya, na maaaring gamitin upang malaman ang naturang-in potensiyal nang hindi tuwiran.

Ang mga paraang ito ay kapaki-pakinabang sa mga materyal kung saan ang mga sukat ng kuryente ay hindi hamon.

Sumaryo

  • sukat ng Capacitence-Voltage
  • Paraan ng Open-Circuit Voltage
  • Pagsusuri sa episodyo