Malawakang ginagamit ang mga MOSFET sa mga sirkitong elektroniko para sa pag-iiba at pag-iisyu. Ang pag-unawa sa mga bigong mode ay nakakatulong sa pagpapabuti ng pagkamaaasahan at disenyo. Ang artikulong ito ay naghaharap ng reality-world na mga halimbawa ng MOSFET failure analysis, na nakatuon sa labis na pag-iinit at parameter drift.

Labis na mga Kabiguan

Ang labis na pag - iinit ay isang karaniwang sanhi ng pagkasira ng MOSFET. Maaaring masira ng sobrang init ang semiconductor junction, na humahantong sa pagkasira ng aparato o kapaha - pahamak na pagkasira.

Isiniwalat ng di - mahusay na pagsusuri sa init ang thermal outreast, kung saan ang mas maraming temperatura ay naging sanhi ng mas mataas na daloy ng singaw, na lalo pang nagpapainit sa temperatura.

Parameter Sigaw

Ang parameter drift ay nagsasangkot ng mga pagbabago sa mga katangiang MOSFET sa paglipas ng panahon, na nakakaapekto sa paggawa ng sirkito. Sa isang high-frequency switching application, unti-unting naiba ang stage volve, nabawasan ang kahusayan. Ang pagsusuri ay nagpapakita ng pagkasira ng gate oxide layer, na nagpapataas ng mga daloy ng tumatagas na mga daloy.

Ang pag - agos na ito ay natunton pabalik sa matagal na pagkalantad sa matataas na boltahe at temperatura.

Iba Pang mga Kabiguan

Kabilang sa karagdagang mga bigong mode ang pinsalang elektrostatikong lumalabas (ESD) at mga depekto sa paggawa. Ang ESD ay maaaring magdulot ng kagyat na pagkasira ng aparato o latent na pinsala na lumilitaw sa huli.Ang pag-aayos ng mga depekto, tulad ng mga dumi o hindi kumpletong doping, ay maaari ring humantong sa maagang pagkabigo.

  • Labis na tensiyon
  • Pinsala sa makina
  • Mga salik na Pangkapaligiran