Doping profillerini anlamak yarı iletken cihazların performansını optimize etmek için gereklidir. Doğru analiz elektrik özelliklerini kontrol etmeye ve cihaz güvenilirliğini sağlamakta yardımcı olur. Yarı iletken malzemeler içinde doping dağıtımlarını değerlendirmek için çeşitli pratik yöntemler kullanılır.
Doping Profil Analizi için Teknikler
Çeşitli teknikler, her biri avantaj ve sınırlamaları ile analiz etmek için kullanılabilir.Ortak yöntemler ikincil iyon kitle spektrometri (SRP), direnç profili (SRP), ve elektrokimyasal kapasitans- voltaj (ECV) ölçümler içerir.
Orta Ion Mass Spectrometri (CYS)
SIMS, ayrıntılı elemental kompozisyon profilleri sağlayan son derece hassas bir tekniktir. Yüzeyi birincil iyon kirişle karıştırır ve ejected ikincil iyonları analiz eder. SIMS yüksek derinlik çözünürlüğü sunar ancak, nicel analiz için kalibrasyon gerektirir.
Direnişi (SRP)
SRP, yarı iletken bir örnekle çatıyı doping konsantrasyonuna karşı direnişi ölçer. Örnek yüzeye karşı bir soruşturmaya baskı yapar ve derinlikteki direnç değişiklikleri kaydeder. SRP is non-destructive but provides less space solution against the SIMS.
Elektrokimyasal Capacitance-Voltage (ECV) Yöntemi
ECV profilleme, elektrokimyasal teknikleri kullanarak doping seviyelerini belirlemek için kullanır. Bir kesinti katmanı oluşturmak ve gerilim işlevi olarak kapasitance ölçmek içerir. ECV sığ doping profilleri için uygundur ve iyi sayısal veriler sağlar.
- SIMS
- Direnişi (SRP)
- Elektrokimyasal Capacitance-Voltage (ECV)
- Hall Etkisi
- Elektrokimyasal Capacitance-Voltage (ECV)