Yarı iletkenlerde bulunan Interface devletler yarı iletken malzeme ve bir insulator veya diğer malzeme arasındaki sınırda bulunan elektronik enerji seviyeleridir. Bu devletler, cihazı performansını etkileyen taşıyıcıları şarj edebilir ve bu ülkeleri ölçmek ve azaltmak yarı iletken cihaz güvenilirliğini ve verimliliğini artırmak için gereklidir.
Ölçümü
Çeşitli teknikler, kapasitance-voltage (C-V) ölçümleri ve derin düzey geçici spektroskop (DLTS) dahil olmak üzere arayüz eyaletlerini ölçmek için kullanılır.
Kapasiteli yükleme ölçümler bir cihaza bir gerilim uygulamak ve kapasite değişiklikleri analiz etmek içerir. Kapasiteli değişken tuzakların varlığını gösterir. DLTS, tuzak ve kesintiye neden olan geçici kapasitans değişiklikleri ölçer, ayrıntılı enerji seviyesi bilgileri sağlar.
Davalar için Stratejiler
Mitigating arabirim devletler yüzey geçişini, malzeme seçimini ve süreç optimizasyonunu içerir. Pasivation katmanları, silikon dioksit veya silikon nitride gibi, tuzak dezenleri arayüzde azaltır. Proper temizleme ve üretim teknikleri de hata formunu azaltır.
Yüksek kaliteli malzemeler ve kontrollü işleme koşulları kullanarak, gelişmiş cihaz performansına ve uzunluğa yol açan arayüz devletlerinin sayısını önemli ölçüde azaltabilirsiniz.
Yaygın Malzemeler ve Teknikler
- Silikon dioksit (SiO2) geçiş
- Silikon nitride (Si3N4)
- HF etching ile Yüzey temizliği
- Termal oxidasyon süreçleri
- Optimized ekaling tedavileri