Frekanslı kavim transistörlerde kesme ve oturma gerilimlerini anlamak (BJTs) güvenilir geçiş devrelerini tasarlamak için gereklidir.Bu parametreler transistörün işletim bölgelerini belirler ve devrenin verimliliğini ve istikrarını etkiler.
BJT Anahtarlarında Kesir
Kesme gerilimi minimum baz-emitter gerilimi (V)BE) V)) Bu eşiğin altındayken, transistör açık bir geçiş olarak kalır. Tipik olarak, bu gerilim silikon BJT için 0.7 volta kadardır.
Transistörlerin tamamen tükenmesini sağlamak için, temel sürücü gerilimi bu kesme seviyesinin altında tutulmalıdır. Proper önyargısız davranışları önlemek ve güç tüketimini azaltır.
BJT Anahtarlarında Saturation Ger
Satranç gerilimi (V)CE (sat)) tam olarak ne zaman transistasyon bölgesindeki gerilimin düşmesini gösterir.
Düşük bir V)CE (sat)) verimli geçiş için önemlidir, çünkü en aza indirmek için, temel mevcut yeterince yüksek olmalıdır, genellikle transistörlerin çok fazla bir şekilde saturasyona sürüklenmesini sağlamak için.
Robust Design için Gerilmeleri
Güçlü bir BJT geçişi tasarlayın, kesme ve oturma bölgeleri açıkça tanımlayan temel ve koleksiyoner gerilimleri seçmeyi içerir. Bu, temel sürücü geriliminin, SE eyaletleri sırasındaki kesme eşini aşmasını sağlar ve aşağıda kalır.
Ayrıca, transistör parametreleri ve sıcaklık etkilerindeki değişiklikler için muhasebe önemlidir. muhafazakar gerilim marjları kullanarak farklı koşullar boyunca güvenilir operasyon sürdürmelerine yardımcı olur.
Anahtar Gerilmelerin Özeti
- [FONT:0)Cutoff Gerilim (V)[Dönem:2).[Dönem: 2 )
- [FONT:0)Saturation Ger (V[DÜDÜDÜDÜDÜDÜSÜŞÜN)[0) [FONT:0)[0|0|0|Saturation Voltage (V).
- [FONT:0)Base Drive Gerilim[[Dönem: 1 )
- [FONT:0)Collector-Emitter Ger[DÜT:1) : V ) altında olmalıdır (satış)[Dönetici: 3 )