Istemi yarı iletkenlerde direnç ve iletkenliği hesaplamak elektronik cihazları tasarlamak için önemlidir. Bu kılavuz, doping seviyelerini ve malzeme özelliklerini temel alarak bu hesaplamaları gerçekleştirmek için pratik adımlar sunar.
Direnklik ve Davranışın Temelleri
Direnç, bir malzemenin elektrik akımının akışına nasıl karşı çıktığı konusunda bir ölçüdür. Davranış, dirençin tersinedir ve mevcut bir materyalden ne kadar kolayca geçebileceğini gösterir. Her iki özellik de materyalin bileşimine ve doping seviyesine bağlıdır.
Direnklik Hesaplamak
Bir dolanan yarı iletkenin direnç ((rho) formülü kullanarak hesaplanabilir:
[0](rho = frac{1}{q times mu times N})).
Nerede:
- [FONT:0)q[DÜT:1][/FONT= 1) = temel şarj (~1.6 × 10).
- [FONT:0)μ) = sorumlu taşıyıcıların hareketliliği (cm).2[Dönetici: 3)
- [FONT:0)N) = doping konsantrasyonu (cm[D:2).-3[Dönetici: 3 )
Bilinen değerleri altüst ederek, dolanan yarı iletkenliğin dirençlerini belirleyebilirsiniz.
Davranışı Hesaplamak
Davranış ((sigma), direnişin karşılıklılığı olarak hesaplanmıştır:
[0](sigma = q times mu times N)).
Bu formül, artan doping konsantrasyonu veya taşıyıcı hareketliliğinin iletkenliği artırdığını gösteriyor.
Pratik Örnek
Bir silikon yarı iletkeninin 1 × 10 ) 17) cm) 3[Döneticiler) 1350 cm)2)
Direnç:
[0](rho = frac{1}{(1.6 defa 10 s.) defa 1350 kez 10 adet s.
Davranış:
[0](sigma = (1.6 kez 10 sssigma = (1.6 kez 10 ss.) 1350 kez 10 sss}).