Ferroelektrik malzemeleri, kristal lattice içindeki iyonların yer değiştirmesinden, yüksek sıcaklıklı bir sıcaklık (TFLT:0) ilerleyici bir geçişte, bu kutuplaşmanın daha düşük bir optik geçişle nasıl bir şekilde gerçekleşeceğinin farkına varır.
Ferroelektrik faz geçişlerinin temelleri
Ferroelektrik faz geçişleri kristal simetri değişikliklerine yol açan ve spontan kutuplaşmanın ortaya çıkmasında yapısal dönüşümlerdir. Geçiş genellikle ilk veya ikinci bir düzendir ve genellikle sıcaklık tarafından yönlendirilir, ancak aynı zamanda baskı, elektrik alanları veya mekanik sular tarafından da tanımlanabilir.
Faz Geçişleri Türleri
İki ana tür ferroelektrik faz geçişleri kabul edilir: displacive and order-disorder. bir displacive geçişte, atomlar yüksek asimetri aşamasındaki denge pozisyonlarından ayrılırlar.[DDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDDD)[Dönetici)[Düzesel bir geçiş yaratırlar, çünkü kutupsal olmayanların çoğu, TDüzüğün üzerindeki etkisinden ayrılır.
Curie Sıcaklık ve Symmetri Değişimi
Curie sıcaklığı, ferroelektrik fazının paraelektrik aşamasına dönüştüğü kritik noktadır. Yukarıda T)C), malzeme daha fazla olmayan ve genellikle daha yüksek bir simetriye sahiptir (örneğin, transseksüel bandın ve eyaletlerin döngüsel geçişteki yoğunluğu doğrudan etkiler).
Landau-Ginzburg, Faz Geçişlerinin Tanımlanması
Landau teorisi, ferroelektrik geçişlerini anlamak için termodinamik bir çerçeve sağlar. özgür enerji kutuplaşmanın güçlerinde genişletilir[Dönetici:0)P), ve iki minimum sıcaklık aralığına sahip.[Dönemli geçiş için, ücretsiz enerji tek bir minimum vardır.[Dönetici).
Elektrik Davranışı Demirellerin Mekanikleri
ferroelektriklerdeki elektrik iletkenliği elektronik taşıyıcılardan, iyonik türlerden veya her ikisinden bir kombinasyondan ortaya çıkabilir.
Elektronik Davranış
BaTiO gibi geniş bant-gap ferroelektrikler[Dönetici:0)[Döneticileri) ve zirkontajı (PZT), kristal yapı tarafından güçlü bir şekilde etkilenebilir. Ancak, doping veya oksijen buharlaşmalarının varlığı, komşuluk arasındaki integrali yükseltebilir.
Ionic Davranış
Birçok ferroelektrik oksitleri mobil oksijen vacancies içerir (V)O)[Dönetici: 3 ), yüksek sıcaklıklarda iyonik iletkenliğe katkıda bulunan ve bu vazoların esnekliği, kutuplaşma yönünde hassastır.
Karma Davranış ve Tanımlama
Uygulamada, birçok ferroelektrik, oksijen vacanlarının oluşumu ve Ti4+) ) Hem elektron hem de oksijen taşımalarının tespiti gibi denge reaksiyonlarını anlamaktadır.
Davranışlar Faz Geçişlerinde Anomaliler
ferroelektrik araştırmalarındaki en çarpıcı gözlemlerden biri, faz geçiş sıcaklığının yakınında elektrik iletkenliği içinde bir anomalidir. Bu anomalinin şekli ve büyüklüğü maddi, hata durumu ve ölçüm koşulları bağlıdır.
T[DÜye Yakındaki Ebatımlar:0)C).
Sadece T)C) üzerindeki dinamik kutuplaşma dalgalanmaları geçişe yaklaşırken ortaya çıkabilir. Bu dalgalanmalar taşıyıcıları yükleyebilecek yerel elektrik alanları yaratır, artan direnç içinde bir miktar malzeme, düşük frekanslı dielektrik sabitleri, DC iletkenliği ölçümlerine yol açan bir düşüşe yol açar.
Polarizasyon-Dependent Davranış
T)C[Dönetici) altında, kutupluluktan dolayı güçlü bir şekilde anisotropik olabilir.In aksiyel ferroelektrikler, lityum niobate (LiNbO) gibi, kutuplaşma mekanizmasına göre, kutuplu bir şekilde, manyetik alandaki çalışma alanlarının herhangi bir şekilde çalışmasını sağlar.
Hysteresis Effects
Çünkü aşama geçişi genellikle ilk kez, termal histeriler vardır: ısıtma ve soğutma üzerindeki geçiş sıcaklıkları farklı.Bu histeriler, iletkenlik eğrisine genişletilebilir.(s)P-)[Dönetici[Döneticileri) ve ek olarak, kutuplaşmadaki histeriler, kutuplaşmanın kendi başına geri dönüşler ilerleyebilir.
Klasik Ferroelektrik Malzemeleri
[FONT:0]Barium, 130°C'ye yakın elektrik iletkenliği gösterir (T)[Dönemli geçiş için][Dönetici: 3 ) Bu zirve, oksijen vacanlarının konsantrasyonunda kritik bir şekilde ve değişikliklerle bağlantılıdır.[Dönetici[Dönetici[Dönetici)[Dönetici[Dönetici)[Düzgeçmişlik için bir kristalin bir şekilde ısı geçişi için ısıtılmasıyla ilgili olarak, kristallerin bir şekilde ısıtılmasıdır.
[FONT:0)Lead zirconate titanate (PZT):[Dönetici) PZT'nin temel çözümleri, yapıdaki değişikliklerin rhohedral'dan tetragonal hale getirilmesine yol açıyor ve geçiş bu hataları yeniden dağıtabilir ve bir zaman bağımlısı gösterir.
[FONT=0)Lithium niobate (LiNbO[DÜT:1))[Dönetici:0) Bu malzeme yüksek Curie sıcaklığına sahiptir (~11-40C) T[D)[Dönetici sıcaklığına yakın değişiklikler yapar (Dönetici).[Dönetici) LiNbO).
Faz Geçişleri sırasında Faktörler Etkileyici
Çeşitli parametreler, iletkenliğin bir ferroelektrik olarak nasıl davrandığını modüle eder. Bu faktörleri anlamak hem temel bilim hem de cihaz mühendisliği için önemlidir.
Defect Concentration ve Doping
Oksijen vacancies, oksit ferroelektriklerinde en yaygın intrinsic defektleridir. konsantrasyonları, farklı oksijen kısmi basınçlarında ek olarak kontrol edilebilir. Daha yüksek bir vacancy konsantrasyon genellikle iyonik iletkenliği artırır, ancak aynı zamanda elektron taşıyıcıları da yeterince donörler sunar.[Döneticiler, değiştirildikten sonra) Uygulanan bir elektrik alanı faz geçiş ısısını değiştirebilir (foto-ferroelektrik geçişi sıfırdan daha fazla) ve ayrıca kutuplaşma dinamiklerini değiştirebilir[Döneticileri değiştir][Döneticileri değiştirebilecektir[Dönemli filmlerde veya uygulanan baskılarda substratlar veya daha yüksek çözünürlükte).[Dönemli) Polykristal örneklerde, tahıl sınırları sınırdaki geçiş sıcaklıklarını değiştiren yerel stres alanları yaratabilir.Bu sonuçlar uzaysal olarak heterojen iletkenlik manzarasına bağlı olarak, elektrik alanı ile ilgili tahılların yönlendirmesi ortalama iletkenliği etkiler. Faz geçişleri sırasında iletken değişiklikleri kurmak, temas direnci ve uzay şarj kutuplaşma gibi eserlerden intrinsic materyali yanıtını ayırmak için dikkatli bir deneysel tasarım gerektirir. Impedance spectroskopi, tahıl sınır direncinin ve kapasitansların katkılarını içeren en güçlü araçtır, tahıl sınırları ve elektrot arabirimleri. Geniş frekans aralığının karmaşık bir şekilde ölçüldüğü gibi görünür (tipik olarak 1 Hz to 1 MHz), bir tanesinin her bileşeninin elektriksel olarak izlemek için ayrı ayrı ayrı ayrı ayrı ayrı ayrı ayrı ayrı ayrı ayrı ayrı ayrı ayrı ayrı ayrı ayrı ayrı ayrı ayrı ayrı bir şekilde taşıyabilir.[D) Basit iki nokta veya dört nokta DC probları, her ölçümden önce ısıtılabilirliği takip edebilir. Ancak, bu ölçümler, kutuplaşma değişikliklerini sıcaklıkla birleştirirken özellikle de DC ölçümlerini birleştirir.Bu sanatifact'den kaçınmak için, örnek genellikle her ölçümden önce termal dengeye ulaşma izni verilir veya sıcaklık rampasını azaltır. dört noktalı bir yöntem, özellikle de yüksek dirençli ferroelektrikli akışta önemli olan kontaktları birleştirir. Kristalizasyonla ilgili olarak, araştırmacılar geçişte yeni yansımaları ele geçirebilirler.In-situ TEM, alan duvarı hareketine ve defekt geçişine izin verir.Bu teknikler, iletkenliği ölçen dinamik dalgalanmaların lattice parametrelerinde ve geçişteki yeni yansımaların görünümünü yakalayabilir.In-situ TEM, domain duvar hareketinin görselleştirilmesine ve defekt göçüne izin verir. Faz geçişleri sırasında iletkenliği kontrol etme ve manipüle etme yeteneği, yeni elektronik cihazlar için yol yolları açar. FeRAM hücreleri kutuplaşma yönünde veri depolamaktadır. Readout, kutuplaşmanın geçiş tamamlandığında üretilen mevcut durumu algılamaya dayanır. Leakage akımı - bu aslında DC iletkenliği - veri kaybına neden oluyorsa, TC)) üzerindeki iletkenlik davranışını anlamak çok daha az önemlidir. FTJs, iki metal elektrot arasındaki ince bir ferroelektrik bariyerinden oluşur. Tünel akımı iki ayrı direnç seviyesi arasında geçişin üst üste ve genişlikte, kutuplaşma yönünden modlu olduğu sonucuna varır.[Dönetici:0)C)K[Döneticisel algılama oranı artırılabilir, geçiş çok daha yüksek bir sıcaklıkla keskin bir şekilde değişebilir - benzer bir konsepte benzer bir şekilde değişebilir. Pyroelektrik sensörleri, kutuplaşmanın sıcaklık bağımlılığı ile yaratılan mevcut değişiklikleri ölçmektedir. Yakın T)C), piroelektrik katlarının maksimum olmasına rağmen, ancak iletkenlik aynı zamanda yüksek piroelektrikli hareketçilerden faydalanırken, faz geçişlerine güvenen veya sağlam çözümler kullanarak, yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte yüksek hızda görünmeye yardımcı olabilir. Olumsuz kapasitans etkiler, ferroelektrik geçişlerinin geçici yanıtlarından kaynaklanan, dik-slope transistörlerin altında faaliyet gösteren yük devretmeleri için aşırı derecede düşük olmalıdır.Bu nedenle, geçiş sırasında görünen negatif fark, ki bu, negatif iyon geçiş sırasında en yüksek derecede stabilize edilebilir. ferroelektrik faz geçişleri sırasında iletken değişikliklerin incelenmesi, gelişmiş malzemeler ve karakterizasyon yöntemlerinden ortaya çıkan yeni fırsatlarla aktif bir alandır. Araştırmacılar, belirli bir faz geçişlerini doping, alt kurum ve mühendislik ile ilişkilendirir. Örneğin, zirconium'u BaTiO'ya ekler) faz geçişini genişletir, smearing out of the functionality.In example, ek olarak, keskin geçişler, lattice-mis substratlar üzerinde yapılan epitsiz filmler için kullanılabilir. Demirelçilik ile ferromagnetizm ile birlikte olan çok fazla malzeme (örneğin, BiFeO) 3) manyetik alanların kontrol etme olasılığını sunar ve geçiş sırasında çift sipariş parametreleri hem de manyetik özellikleri, bu çiftleşmiş fenomenlerin manyetik alanları etkileyen çok yönlü anıların ortaya çıkmasını sağlayabilir. Nanoscale'te, boyut etkileri önemli hale gelir. faz geçiş sıcaklığı nanopartiküllerde veya ultratin filmlerinde depo alanları ve yüzey enerjisi nedeniyle baskı yapılır. Geçişin yakınındaki iletkenlik güçlü boyutta bağımlılık gösterir, çünkü hata dağılımı ve taşıyıcı sınırlılık değişir.For the faz geçiş sıcaklığı). nanopartiküller 50 nm'den daha küçük, iletkenlik anomaly genişleticileri ve daha düşük sıcaklıklara kadar uzanır.In ferroelektrik nanotoksit oranları, yüksek yüzeysel-tomik-kimyasal-kimyasal-kimyasal-sa oranları, bu yüzeysel hızlar için sürücreler için daha küçük. Makine öğrenimi (ML), yeni malzemelerin kompozisyon ve yapıya dayanarak iletken davranışını tahmin etmek için uygulanır. Deney verileri üzerinde eğitim vererek, ML modelleri, hangi dopants ve faz geçişlerinin düşük sızıntı veya yüksek sıcaklık duyarlılığı elde etmek için büyük olasılıkla uygulanabilir. Bu yaklaşım, iletkenlik-faş ilişkileri anlayışımızı hızla ilerletir. Gazroelektrikli malzemelerdeki elektrik iletkenliği, faz geçişlerine yakından bağlıdır. kristal yapı, parasal değişimlere, şarj taşıyıcılarının hareketliliğine ve konsantrasyonlarına yol açar - elektronik veya iyonik - doping, suskunma ve mikroyapı gibi faktörler, bu anomalilerin büyüklüğüne ve sıcaklığına bağlı olarak ortaya çıkabilir. [FONT:0)Daha fazla ferroelektrikle ilgili daha fazla bilgi sahibi olmak ). | [[Dönetici:2|Dönetici:T:3) | [[Dörtücük Seramikler[Döneticiler:Dörtücüler|Döneticiler:Döneticiler[Döneticiler)Dış Elektrik Alanı ve Mekanik Strain
Boundaries ve Micro structure
Ölçme ve Karakterizasyon Teknikleri
Impedance Spectroskop
DC Davranış Ölçümleri
In-Situ Yapısal Karakterizasyon
Teknolojik Implikasyonlar ve Uygulamaları
Ferroelektrik Non-Volatile Memories (FeRAM)
Ferroelektrik Tünel Junctions (FTJ)
Sensörler veleyiciler
Gelişen Kavramlar: Olumsuz Capacitance ve Nöromorphic Computing
Mevcut Araştırma ve Gelecek Yollar
Malzeme Mühendisliği
Multiferroics ve Çift Evler
Nanoscale Ferroelektriks
Emlak Önlemleri için Makine Öğrenmesi
Sonuç Sonuç Sonuç Sonuç Sonuç Sonuç Sonuç Sonuç