Yarı iletken eklemlerdeki yerleşik potansiyelini anlamak, elektronik cihazları tasarlamak ve analiz etmek için önemlidir. Bu makale bu önemli parametreyi doğru bir şekilde belirlemek için pratik yöntemler araştırıyor.
Yöntem 1: Capacitance-Voltage (C-V) Ölçümü
C-V ölçümü, bir diyotun parçalanmasını ve kapasitansı ölçmeyi içerir, yerleşik potansiyel ilişki kullanılarak hesaplanabilir:
[0]V bi = (kT/q) * ln(N A * N D / n i^2) + V R[D][/FONT)
V bi'nin yerleşik potansiyeli nerede, N A ve N D doping konsantrasyonları, n i intrinsic taşıyıcı konsantrasyonu, V R uygulanan ters önyargı ve diğer semboller her zamanki anlamları vardır.
Yöntem 2: Açık-Circuit Gerilim Yöntemi
Bu yöntem, aydınlatma altında bir diyotun açık-cir gerilimi (V OC) ölçer. V OC, denklem tarafından inşa edilen potansiyelle ilgilidir:
[0]V OC ⁇ V bi - (kT/q) * ln (I L / I 0)).
İşte, I L şu anda fotoğraftır ve I 0 şu anki satıştır. V OC'yi ölçerek mevcut değerleri bilmek, V bi tahmin edilebilir.
Yöntem 3: Elektroksaniye ve Fotosusaniye
Optik yöntemler, kavim spektral spektral spektral spektral spektral spektral spektral spektral spektral spektralini analiz eder.Top emisyon dalgası, inşa edilmiş potansiyelini dolaylı olarak belirlemek için kullanılan enerji boşluğu ile ilgilidir.
Bu yöntemler elektrik ölçümlerinin zor olduğu malzemeler için faydalıdır.
Özet Özet Özet Özet Özet Özet Özet Özet Özet Özet
- Capacitance-Voltage ölçüm
- Open-Circuit Gerilim yöntemi
- Optik emisyon analizi