Gerçek devrelerdeki MOSFET'lerin kapasitancelarını ölçmek, davranışlarını ve performansını anlamak için önemlidir. Elektronik sistemleri tasarlama ve sorunlandırmada doğru ölçümler yardımcı olabilir. Bu kapasitansları etkili bir şekilde belirlemek için çeşitli pratik yöntemler kullanılabilir.
MOSFET Capacitances
MOSFETs, kapı-vardır, kapı-kömürüm ve drenaj-bulk. Bu kapasitanslar, cihazın geçiş hızını ve frekansı yanıtını etkiler.Bir devrede onları ölçmek her bileşeni izole etmek ve ölçmek için özel teknikler gerektirir.
LCR bir ölçüm cihazı kullanarak
LCR metre, MOSFET'nin test devresinde olduğu zaman kapasiteyi doğrudan ölçebilir. Bunu yapmak için, MOSFET'yi devreden ayır veya güvenli bir durumda olmasını sağlayın. Kapı ve kaynak gibi terminallerin karşısındaki metreyi bağlayın ve okumaları kaydetmek için bu yöntem hızlı bir tahmin sağlar.
Bir Oscilloskop ile Capacitance Ölçüm
Bir oscilloskop, C = ⁇ / R formülü kullanarak şarj eğrisini kullanarak, şarj işleminin zaman sabiti hesaplanabilir. şarj sürecinin sabit süresi devredeki kapasitans ve direnişle ilgilidir.C = ⁇ / R, ⁇ sürekli olarak dirençtir, ve R hesaplanabilir.
Ek Teknikler
Diğer yöntemler yüksek frekanslı ölçümler için tasarlanmış bir ağ analizörü veya özel test ekipmanlarını kullanmayı içerir. Bu teknikler daha karmaşıktır, ancak yüksek hızlı geçiş uygulamaları için özellikle yüksek hızlı geçiş uygulamaları sunar. Proper kalibrasyon ve devre kurulumu güvenilir sonuçlar için önemlidir.