Bipolar kavim transistörlerin kesme ve oturma gerilimlerini anlamak (BJTs) verimli güç elektronik devreleri tasarlamak için gereklidir. Bu parametreler transistör ve etkiye sahip devre performansını ve güvenilirliğini belirler.

BJTs'te Cutoff Ger

Kesme gerilimi minimum baz-emitter gerilimi (V)BE) V)) Bu eşiğin altındayken, transistör açık bir geçiş olarak kalır. Tipik olarak, bu gerilim silikon BJT için 0.7 volta kadardır.

Kesme gerilimi hesaplamak için, temel-emitter kaviminin ileri gerilimini düşünün.Ensuring V)) Bu değeri, transistörlerin iktidar devrelerinde istenmeyen geçişin önlenmesine yardımcı olur.

BJTs'te Saturation Ger

Satranç gerilimi (V)CE (sat)) tam olarak ne zaman transistöre ve yayıcıya yayıldığı zaman koleksiyoncu-emitter gerilimidir.

V)CE(sat)), koleksiyoncu akımı göz önünde bulundurmayı içerir (I).C). ve transistasyon özelliklerini garanti eder. aşırı gerilim düşüşü olmadan saturasyona ulaşır.

Pratik Hesaplama Yöntemleri

Kesme ve dourasyon gerilimlerini belirlemek için, veri tablo özelliklerini ve devre koşullarını kullanın. For cutoff, V)) eşiği aşarak, genellikle bir beta yaklaşımı uygulayın.

  • Kontrol veri tablo parametreleri
  • Saturasyon için mevcut temel hesaplama
  • Ölçü gerilimi devrede düşer
  • Sisteme göre ayarlı akış