MOSFETs, geçiş ve amplifikasyon için elektronik devrelerde yaygın olarak kullanılmaktadır. Başarısız modları anlama güvenilirliğini ve tasarımını geliştirmenize yardımcı olur. Bu makale, MOSFET başarısızlık analizinin gerçek dünya örneklerini sunar, aşırı ısıtma ve parametre sürüklenmeye odaklanır.

Aşırı ısıtma Başarısızlıkları

Aşırı ısıtma, MOSFET başarısızlığının ortak bir nedenidir. Aşırı ısı, cihazın birkaç saat sonra başarısız olması için aşırı ısındığı bir güç MOSFET.

Başarısız analiz, ısının yüksek sızıntı akımlarına neden olduğu, daha fazla sıcaklık yükselten yüksek ısı yönetimi, gelişmiş ısı lavaboları ve hava akışı dahil olmak üzere, yeniden kullanımları engelledi.

Parametre Drift

Parametre sürüklenme, zaman içinde MOSFET özelliklerinde değişiklikler içerir, devre performansını etkiler. Yüksek frekanslı geçiş başvurusu, eş gerilimi yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaşladı, verimlilik. Analiz, kapı oksit tabakasının bozulması gösterdi.

Bu sürüklenme yüksek gerilimlere ve sıcaklıklara uzun bir süre maruz kalmanın ardından izlendi. gerilim söndürücüyü ve daha iyi termal kontrolü en aza indirmek için geri alındı.

Diğer Başarısızlık Moduları

Ek başarısızlık modları, elektrostatik deşarj (ESD) hasar ve üretim kusurları içerir. ESD daha sonra ortaya çıkan anında cihazın başarısızlığına veya geç zararlara neden olabilir. İmalat kusurları, yetersizlikler veya eksik doping gibi, erken başarısızlıklara da yol açabilir.

  • Overcurrent stres
  • Mekanik hasar
  • Çevre faktörleri