MOSFET'lerin kapasitesinin anlaşılması, yüksek hızlı geçiş gerektiren devrelerin tasarlanması için önemlidir. Doğru hesaplamalar performansı optimize etmeye ve güç kaybına yardımcı olur. Bu makale, MOSFET kapasitelilik ile ilgili temel kavramlar ve hesaplama yöntemlerin genel bir bakışını sağlar.

MOSFET Capacitance

MOSFETs üç ana kapasitelidir: kapı-vardır (C[D:0)[Dönemli[Dönemli) ve CFLT:3[Dönemli)[Dönemli) ve CFLT: 9)[Dönemli)))[Düzücükler (Dönemli) hız ve güç tüketimine etki eder.

Kapıyı Hesaplamak

Kapı kapasitesi (C[DDD:0) ve kapı alanı (C) birim alanı (C) ve kapı alanı (A):

[FONT:0)C[DÜT:1][DÜDÜ:2) ⁇ C) ] ] ] ] ]

C)ox) olarak hesaplanmıştır:

[FONT:0)C[DÜT:2)[DÜDÜ:2) = ⁇ ) / )

Hızlandırmanın Etkisi

Capacitance, MOSFET'lerin geçiş süresini etkiler. Zaman sabit ( ⁇ ) verilir:

[0] ⁇ = R × C[DÜT 1: 1)

R'nin devredeki direniş olduğu yerde. Daha hızlı geçişte daha düşük kapasiteli sonuçlar, yüksek hızlı uygulamalarda kritik olan.

Pratik Hesaplama Örnekleri

Bir kapı oksit kalınlığı 2 nm ve bir oksit dielektrik sabiti ( ⁇ ) 3.9 × 8.85 × 10-12) ve 10 μm bir kapı alanı, kapı kapasitesi aşağıdaki şekilde hesaplanır:

C)ox[DÜye: × 10[DÜye Olmayanlar İçin 9,4,0,2[DÜye Olmayanlar İçinde 3 )

A = 10 μm × 10 μm = 1 × 10)-10) m).

C)[[Dönemli: 1/01/2012) × 10) 3) × 1 × 10-10) = 1.72 × 10)