MOSFET tabanlı dönüştürücülerdeki kayıpların önemli ölçüde verimlilik ve termal yönetimi etkilemektedir. Bu kayıpların hesaplanması ve minimizasyonu en iyi performans için gereklidir. Bu makale, güç elektronik devrelerinde geçiş kayıplarının değerlendirilmesini ve azaltılmasını sağlamak için yöntemlere genel bir bakış sağlar.

Anahtarlama Kayıplarını Hesaplamak

Bu kayıpları etkileyen birincil faktörler, geçiş dönemi boyunca, MOSFET'nin geçmiş ve dışarıda devletler arasında geçiş döneminde meydana gelir.Bu kayıpları etkileyen birincil faktörler, drenaj kaynaklı gerilim, kapı şarjı ve frekans geçiş için temel formüldür.

[FONT:0)P[Dönemli ) = 0,5 × V) × [D × s[FLT: 7)

V) ) ) )[D) Mevcut, T) [D[FLT: 6))) ve Toff) [FLT: 7) devre dışı bırakılabilir ve dönüş süresidir.[/FONT][/FONT][/FONT=)[D][/FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FONT=FO

Değiştirilmesi Yöntemleri

Geçiş kayıplarının azaltılması, MOSFET'lerin geçiş davranışını optimize etmeyi amaçlayan birkaç strateji içerir. Bunlar, uygun cihazlar seçmek ve devre tasarımı modifikasyonları içerir.

Optimizing Gate Drive

Uygun gerilim seviyelerinde bir kapı sürücüsü kullanarak hızlı geçiş geçişlerini sağlar, t)on) ve t)off)) Ayrıca geçiş hızını dengelemek için kontrol edebilir.

Uygun MOSFET'leri seçmek

Düşük kapı şarjı ile MOSFET'leri seçin (Q)g). ve hızlı geçiş yetenekleri. Düşük çıkış kapasitesi ve optimize edilmiş eş gerilimi düşük geçiş kayıplarına katkıda bulunur.

Ek Teknikler

  • Resonant veya sıfır-süresel geçiş gibi yumuşak-switching teknikleri uygulamak.
  • Mümkün olan frekansı değiştirmek.
  • Değiştirilmesi sırasında sinubber veya snubber devreleri kullanmak.