MOSFET ve BJT transistörlerinin elektronik devrelerdeki entegrasyonu, eşsiz özellikleri konusunda dikkatli bir şekilde göz önünde bulundurmaktadır. Proper design, en uygun performans, verimlilik ve karma sistemlerdeki güvenilirlik sağlar. Bu makale bu iki tip transistörleri birleştirdiğinde takip etmek için temel ilkeleri açıklar.

Transistor Özellikleri

MOSFETs ve BJTs farklı operasyonel davranışlara sahiptir. MOSFETs, yüksek giriş engelli yüksek girişli gerilim kontrollü cihazlardır, onları geçiş uygulamaları için uygun hale getirir. BJTs şu anda kontrol edilir ve yüksek kazanç sunar, çoğu zaman bu farklılıkların etkili bir entegrasyon için gereklidir.

Bütünleşme ilkeleri

Her iki transistör ile devreler tasarlarken aşağıdaki ilkeleri göz önünde bulundurun:

  • [FONT:0] Eşleştirme:[Dönetici:[Dönetici:0) Giriş ve çıkış engelleyicilerinin sinyal kaybının önlenmesine uyumlu olduğundan emin olun.
  • [FONT:0]Biasing Koşulları:[[Dönetici:[Döncüm:0) Proper önyargılı her iki cihaz için en uygun bölgelerinde faaliyet göstermesi önemlidir.
  • [FONT:0) ⁇ Yönetimi: [Dönetici: [Dönetici: [Dönetici: [Dönüşük ısı dağılımı aşırı ısıyı önler ve istikrar sağlar.
  • [FONT:0]Voltage Levels:[Dönler:[Dönler:[Dönler:) Eş gerilim seviyeleri zarardan kaçınmak ve doğru geçiş davranışını sağlamak.
  • [[Dönetici:0)Konper düzeni ve cihazlar arasındaki müdahaleyi korumak.

Uygulamayı dikkate alır

Karışık transistör devrelerde, cihazın seçimi uygulamaya bağlıdır. MOSFETs yüksek hızlı geçiş için tercih edilirken, BJTs genellikle lineer amplifikasyonu için kullanılır.İkisini birleştirmek karmaşık işlevleri için güçlülerini yararlanabilir.