Elektron- deliği yarı iletkenleri elektrik ve optik özelliklerini etkileyen temel bir süreçtir. Nanoyapılı yarı iletkenlerde, bu süreç kuantum sınırlılık ve yüzey etkileri nedeniyle büyük malzemelerden önemli ölçüde farklı olabilir. Bu rekombinasyon verimli elektronik ve optoelektronik cihazları tasarlamak için önemlidir.

Elektron-Hole Recombination

Recombinasyon, bir elektronun iletim bandında enerji kaybettiği ve valans bandında bir delike düşer. Bu işlem enerjiyi sık sık ışık şeklinde (radyatif rekombinasyon) veya ısı (daha-radiative recombinasyon) oluşturur.Recombinasyon etkisi, güneş hücreleri ve ışık-ebed diyotları gibi.

Nano'nun Yapılanmasının Etkileri

Nano yapılandırma, elektronik durumu malzeme içinde değiştirir. Kuantum sınırlılığı enerji boşluğunu artırabilir ve rekombinasyon yollarını değiştirebilir. Yüzey eyaletleri ve kusurları daha belirgin hale gelir, genellikle non-radiative süreçleri geliştirebilecek rekombinasyon merkezleri olarak hareket eder.Bu etkiler modelleme çabalarında dikkate alınmalıdır.

Modeling Approaches

Nanoyapılı yarı iletkenlerde elektron delik rekombinasyon modellemesi için çeşitli yöntemler kullanılır:

  • [FONT:0)Rate denklemleri:[Döneticiler:[Döneticiler)[Döneticileri)[değiştir | kaynağı değiştir]
  • [FONT=0]Quantum mekanik modelleri:[Dönetici: Schrödinger ve yoğunluk fonksiyonel teorileri elektronik durumları analiz etmek için kullanın.
  • [FONT:0)Monte Carlo simülasyonları:[Dönetici:) Zaman içinde Track taşıyıcı dinamikleri ve etkileşimleri.
  • [FONT:0]Surface ve hata modellemesi:) Instri yüzey devletleri ve rekombinasyon etkileyen hata seviyeleri.