Table of Contents

Diffüzyon Yarısı Fizikte Uzun Zaman Anlamak

Diffüzyon uzunluğu yarı iletken fizik ve mühendislikteki en kritik parametrelerden biri olarak duruyor, temel olarak elektronik cihazların gerçek dünya uygulamalarında nasıl performans gösterdiğini tespit ediyor. Bu özellik ölçüm, şarj taşıyıcılarının - n tipi malzemeler veya deliklerdeki boşlukları - tam olarak şarj taşıyıcıları ile geri dönüşümlü olarak seyahat edebilir ve mevcut elektrik akımına katkıda bulunmaya son derece zorlanır.

Diffüzyon uzunluklarını doğru bir şekilde hesaplamak, yarı iletken cihaz tasarımı ve malzemeler biliminde çalışan mühendisler ve araştırmacılar için aşırı derecede fazladanlık olamaz.Diffüzyon uzunlukları, yüksek verimlilik, daha iyi performans özellikleri ve geliştirilmiş güvenilirlik elde edilir. Tersine, yetersiz difüzyon, uzunlar, güneş hücrelerinde dönüşüm efficiliğini azaltabilir, transistörleri limitler, algılama uygulamaları için limitli hızları azaltır ve algılama uygulamaları için hassastır.Bu kapsamlı kılavuz, yüksek verimlilik temelleri inceler ve bu parametreyi hesaplamak için matematiksel çerçeveler, bu parametreyi hesaplamak için matematiksel çerçeveler, güneş hücreleri etkileyen fiziksel faktörleri ve pratik faktörleri araştırmak için.

Temel Kavramlar: Diffüzyon Uzunluk Nedir?

Diffüzyon uzunluğu, şarj taşıyıcılarının düşük konsantrasyon bölgelerine kadar yarı iletken bir malzeme içinde seyahat edebileceğini belirtir, su yoluyla inkülasyon işlemine girmeden önce Diffüzyonun kendisi, yük taşımacılığında kullanılan bir nakliye mekanizmasıdır - taşıyıcılar için doğal olarak yüksek konsantrasyon bölgelerinden düşük konsantrasyon bölgelerine kadar hareket eder.

Difüzyon uzunluğu kavramı, iki rakip süreç arasındaki Interplay'dan ortaya çıkıyor: taşıyıcıların materyal aracılığıyla taşınması ve bu rekabetin geri çekilmesi ile taşıyıcıların kaybı - taşıyıcı konsantrasyonunun yaklaşık %37'ye azaldığı mesafedir (ve) diffüzyon süresi boyunca geri dönüş kayıpları nedeniyle ilk değerin yüzde 37'sine karşılık gelir.

Pratik cihaz açısından, daha uzun difüzyon uzunlukları, yeniden üretilmeden önce yarı iletken malzemeden daha büyük mesafelere geçiş yapmak için taşıyıcıları etkinleştirir, bu birçok cihaz mimarisi için gerekli olduğunu kanıtlamaktadır. Örneğin, fotoğraflı taşıyıcılar, kutuplu transistör tabakasına göre, taban bölgeye göre daraltmalıdır ve toplanabilirler.

Carrier Diffüzyonun Arkasındaki Fizik

Diffüzyon bir Ulaşım Mekanizması olarak

Taşıyıcı toplamada yer alan taşıyıcıların rastgele termal hareketlerinden kaynaklanan taşıyıcılar, taşıyıcı konsantrasyonundaki uzaysal değişikliklerle bir araya gelir. mutlak sıfırın üzerindeki herhangi bir sonlu sıcaklıkta, taşıyıcıların kristal lattice yoluyla rastgele hareket etmelerine neden olan termal enerjiye sahiptir.Bir konsantrasyonda gradient var olduğunda, istatistiksel mekanik daha fazla taşıyıcının düşük maliyetli bölgelerden düşük maliyetli bölgelere doğru bir şekilde hareket edeceğine karar verir.

Elektronlar için mevcut yoğunluk matematiksel olarak elektron konsantrasyonunun yüksek lisansını ifade edebilir, aynı zamanda, kondüktörlülükteki taşıyıcı hareket, elektrik deleşimden ziyade, yüksek çözünürlükte taşıyıcı hareketine bağlı olarak, Fick'in ilk difüzyon yasası olarak bilinen bu ilişkiler, yarı iletkenlere uygulanan, kontrasepsiyonel olarak bilinen taşıyıcı hareketlerinin analiz edilmesi için temel oluşturur.

Recombinasyon Süreçleri

Recombinasyon, serbest elektronların ve deliklerin birbirlerini yok ettiği süreci temsil eder, yarı iletkenliği termal dengeye geri döndürebilir. Birkaç farklı fiziksel mekanizmalar yarı iletken malzemelerde yeniden birleşmeyi, malzeme özelliklerine farklı bağımlılıklarla, doping seviyelerini ve işletim koşullarını sağlar.Recombinasyon, temel olarak taşıyıcı ömrünü belirler.

[FONT:0]Radiative recombinasyon[[Dönder: 1 ), doğrudan kanal geçişleri (GaAs) ve LEDler ve lazer diyotları gibi ışık alan cihazlara bağlı olarak, bu işlem, doğrudan bantgap gibi yarıgruplara hükmediyor, çünkü bu işlem, bu işlemden daha az olası bir katılım süreci gerektiriyor.

[FONT:0]Shockley-Read-Hall (SRH) rekombinasyon) ayrıca tuzak destekli rekombinasyon olarak da adlandırılır, bu mekanizma tipik olarak silikon ve diğer dolaylı-bandgap yarı iletkenleri ile hareket eder ve rekombinasyona ilk olarak yakalanan bir elektron, aynı tuzağa ulaşır, sonra tekrarlanan bir delik aynı tuzağa ulaşır ve yeniden yüklenebilirlik sürecini tamamlamak.

[FONT:0]Auger rekombinasyon[DÜT:1) üç tane parçacığı içerir: ağırlaştırılmış bölgelerde veya yoğun aydınlatma altında çalışan cihazlar için enerji, bu koşullar altında çalışan üçüncü bir taşıyıcıya transfer edilir.

Carrier Lifetime

Carrier ömür ( ⁇ ), taşıyıcı ömrüne kıyasla ortalama zaman aralığının mobil durumda olduğunu belirtir.Daha doğrusu, aşırı taşıyıcılar yarı iletken olarak üretilir ve nesil kaynak daha sonra kaldırılır, çünkü taşıyıcı süresine göre daha az rekombinasyon merkezleri bulunur.

Farklı rekombinasyon mekanizmaları genel rekombinasyon oranına katkıda bulunur ve etkili taşıyıcı ömürleri her mekanizma ile ilişkili bireysel yaşamların bir kombinasyonunu olarak ifade edilebilir. Birçok pratik yarı iletken, birden fazla rekombinasyon işlemi aynı anda meydana gelir ve en hızlı süreç (en kısa ömürler) aynı anda, genel rekombinasyon davranışına hükmedebilir. Yüksek kaliteli silikonun yüksek kaliteli silikonun, örneğin, taşıyıcı ömürleri birçok milisaniyeyi aşabilir, daha düşük kaliteli malzemeler aynı anda ortaya çıkabilir.

Matematiksel Çerçeve: Diffüzyon Uzunluk

Temel Diffüzyon uzunluğu Equation

Bir yarı iletkendeki şarj taşıyıcıları için diffüzyon uzunluğu (L) diffüzyon katlarını ve taşıyıcı ömrünü bağlayan oldukça şık bir ilişki kullanılarak hesaplanır:

[FONT=0)L = √ (D × ⁇ )).

Bu denklemde, D, diffüzyon katlarını (müresel olarak cm2/s) temsil eder ve ⁇ taşıyıcı ömrünü temsil eder (mahte süresi veya difüzyon katlarını azaltır) ile L'nin uzun süre boyunca, genellikle mikrometers (μm) veya santimetre (cm) malzeme ve uygulamadaki önemli gelişmelerin temel bir ölçeklendirme davranışını gerektirir: taşıyıcı ömür boyu veya difüzyon katını artırır.

Bu denklemin fiziksel yorumu, taşıyıcı difüzyon doğasını göz önünde bulundurulduğunda açık hale gelir. Yaşam boyu ⁇ , bir taşıyıcı sayısız rastgele termal çarpışmalar geçirir, her bir küçük bir yerindenlığa neden olur. Toplam mesafe rastgele bir yürüyüş kalıbına sahiptir ve kök-mean-square yerinden edilmeleri, aynı zamanda difüzyon katlarının ve zamandaki difüzyon katlarının ürünü olarak gerçekleşir.

Diffüzyon Coaktif ve Einstein Relation

Diffüzyon katsayısı, yarı iletken fizikteki temel ilişkilerden biri ile ilgili olarak taşıyıcı hareketliliğiyle ilgili değildir: Bu parametre bağımsız değildir, ancak sonlu fizikteki temel ilişkilerden biri ile ilgili olarak, bu parametre bağımsız değildir.

[0]D = μ × (kT/q)).

Bu ifadede, μ taşıyıcı hareketliliğini temsil eder (cm2/V·s'te sigortalanır), k, Boltzmann'ın sabit sıcaklığı (1.38 × 10 -23 J/K), Tfüzyon ve hareketlilik, Kelvin'deki mutlak sıcaklıktır ve q, temel şarjdır (1.60 × 10-19 C).

Einstein ilişkisi, difüzyon kattan ziyade hareketlilik açısından difüzyon uzunluğu denklemini yeniden yazmamıza olanak sağlar:

[0]L = √ (μ × (kT/q) × ⁇ )).

Bu formülasyon özellikle yararlı olduğunu kanıtlıyor çünkü mobilite ve yaşam genellikle yarı iletken karakterizasyonda doğrudan ölçülen veya rapor edilir. Oda sıcaklığı (T = 300 K), termal gerilim kT/q ⁇ 0.0259 V, bu yüzden denklem basitleştirir:

[0]L ⁇ √ (0.0259 × μ × ⁇ )[Dönetici: 1 ) (en az 300 K, cm2/V • ve saniye içinde ⁇ ile)

Ayrı Elektron ve Delik Diffüzyon Uzunlukları

Çoğu yarı iletken malzemeler ve cihazlarda, elektronlar ve delikler farklı etkili kitleleri ve saçılım özellikleri nedeniyle farklı ulaşım özellikleri sergilemektedir. Sonuç olarak, elektron difüzyon uzunluğu (L n) ve delefüzyon uzunluğu (L p):

[0]L n = √(D n × ⁇ n) = √(μ n × (kT/q) × ⁇ n)).

[0]L p = √(D p × ⁇ p) = √(μ p × (kT/q) × ⁇ p)).

Örneğin, oda sıcaklığında silikonda, elektron hareketliliği (μ n ⁇ 1400 cm2/V·s) önemli ölçüde delik hareketliliğini aşıyor (μ p ⁇ 450 cm2/V·s), ve elektron yaşamları genellikle delik tipine ve konsantrasyona bağlı olarak farklıdır. Bu farklılıklar, elektron difüzyon uzunluklarının tipik olarak cihaz tasarımı için önemli etkileri olan silikon cihazlarında delik difüzyon uzunluğunu aşıyor - her bölgedeki azınlık taşıyıcı tipi, cihaz çalışması için ilgili difüzyon süresini belirler.

Çalışmalı Örnek: Silikon Solar Hücre

P tipi üssü bölgede azınlık taşıyıcısını (elekron) difüzyon uzunluğunu hesaplamamız gereken kristal bir silikon güneş hücresi düşünün. malzemenin aşağıdaki özellikleri ile karakterize olduğunu varsayalım:

  • Elektron hareketliliği: μ n = 1200 cm2/V·s
  • Elektron ömür: ⁇ n = 100 μs = 1.0 × 10 -4 s
  • Sıcaklık: T = 300 K

İlk olarak, Einstein ilişkisini kullanarak elektron difüzyon katını hesaplıyoruz:

D n = μ n × (kT/q) = 1200 cm2/V • × 0.0259 V = 31.1 cm2/s

Sonraki, difüzyon uzun formülü uyguluyoruz:

L n = √(D n × ⁇ n) = √ (31.1 cm2/s × 1.0 × 10 -4 s) = √ (3.11 × 10-3 cm2) = 0.056 cm = 560 μm = 0.056 cm = μm

Bu 560 μm'nin uzunluğu, p tipi üssündeki foton elektronların yeniden üretilen taşıyıcılardan önce yarım milimetreden fazla yolculuk edebileceğini gösteriyor.Bu uzun difüzyon uzunluğu, sadece 50 μm - hücre tasarımının yüksek verimlilik sağlamak için çok ince bir temel veya alternatif koleksiyon ile değiştirilmesi gerekiyor.

Faktörler, yarı iletkenlerde Diffüzyon Uzunluklarını Etkiliyor

Malzeme yarılığı ve Kristal Kalite

Yarı iletken malzemelerin saf ve kristal mükemmelliği, taşıyıcı yaşamlarında etkileri aracılığıyla diffüzyon uzunlarında derin etkiye sahiptir. Impurities, kusurları, dislokasyonlar ve tahıl sınırları tüm enerji devletlerini şok edici merkezler aracılığıyla yeniden pazarlamak için bir yol sunar.

Yüksek performanslı tek kristal silikon, yüz-bölge (FZ) gibi yüksek performanslı güneş hücreleri ve yüksek performanslı elektronikler, taşıyıcı ömürleri 1 milisaniye ve difüzyon uzunları ile birkaç milimetrenin altında ömürler alabilir. Aksine, çok kristal silikon, sadece birkaç mikrometrenin altında, genellikle uzun süreli mikrosaniye ve difüzyon uzunlukları gösterir.

Demir, bakır ve nikel gibi geçiş metalleri tarafından kesintiye uğramak özellikle zararlıdır çünkü bu elementler, yarı iletken üretim ortamları ve yüksek hacimli başlangıç malzemelerinin, üretim sürecinde metalik konteynasyon merkezlerinin önlenmesi ve ortadan kaldırılması için son derece etkili olan protokolleri ortaya koyarlar.

Doping Concentration Effects

Bir yarı iletkendeki kasıtlı dopants konsantrasyonu, diffüzyon uzunluğunu birden fazla mekanizmayla etkiler. Artan doping konsantrasyonu genellikle gelişmiş iyonize engelleyici saçılma nedeniyle taşıyıcı hareketliliği azaltır - şarj edilebilir iyonlardan daha sık sık sık, ifade edilen ücretsiz yol ve hareketliliği azaltır. diffüzyon katları, lineer olarak Einstein ilişkisi aracılığıyla mobilite ile, bu hareketlilik azaltımı doğrudan difüzyon katlarını azaltır ve böylece difüzyon uzunluğuna kadar.

Ek olarak, yüksek doz konsantrasyonları, özellikle de artırılmış taşıyıcı ömrüne göre azaltılabilir: yüksek dozda iletkenliği artırır ve seri direnişi azaltır, potansiyel olarak taşıyıcı verimliliğini artırır.

Doping ve mobilite arasındaki ilişki, ortak yarı iletkenler için yaygın olarak karakterize edilmiştir. Silikonda, elektron hareketliliği yaklaşık 1400 cm2/V·s ışıkla yaklaşık 200 cm2/V • Yaklaşık 1019 cm konsantrasyonlarında, yüksek oranda artmakta olan difüzyon uzunlukları, aynı malzemeden aynı miktardan daha kısadır.

Sıcaklık Bağımlılığı

Sıcaklık, hem mobilite hem de yaşam üzerindeki etkisi ile difüzyon uzunluğunu etkiler, ancak bu etkiler genellikle ters yönde çalışırsa, Einstein'ın ilişki içindeki ısı gerilimi kT/q daha sık artar ve hareketliliğini azaltma eğilimi gösterir. Ancak, taşıyıcı hareketliliği genellikle gelişmiş ses telleri olmayan yarı iletkenlerde sıcaklık azalır - daha yüksek sıcaklıklarda, lattice titreşimleri daha sık sık ve hareketliliğini azaltır.

Silikonda, mobilite yaklaşık T-2·4 olarak azalır, çünkü lattice saçılma-dominated taşımacılıkta yüksek sıcaklıklara göre değişir.Bu sıcaklık bağımlılığı genellikle termal gerilimde lineer artışta, sıcaklık artışında, yüksek oranda azalırken, diffüzyonda daha fazla önemli olduğunu gösterir.

SRH rekombinasyonu orta-gap tuzakları ile, taşıyıcı ömürleri genellikle taşıyıcı yakalama kesitleri ve termal emisyon oranlarının ısıtılması nedeniyle sıcaklık artışlarını arttırır. Ancak, Auger rekombinasyonunun önemli olduğu malzemelerde, ömür boyu sıcaklık azaltılabilir.

Yüzey ve Interface Effects

Yüzeyler ve arayüzler yarı iletken cihazlarda, yarı iletken bir şekilde sonlandırılabilir, özellikle ince filmlerde ve nanoyapılarda yüzeysel hız (S), cm/s'de ölçülen yüzeysel veya arayüzde, periyodik kristal lattice sona erer.

Yüksek rekombinasyon hızıyla yüzeye yayılan taşıyıcılar hızla yüzeye ulaşabiliyorlar, toplu materyal kalitesi yerine film kalınlığı ve yüzey özelliklerine sahip olan mesafeyi kısaltıyorlar.

Yüzey geçiş teknikleri, yüzey rekombinasyon hızını kimyasal olarak veya fiziksel olarak dangling bağlarını ortadan kaldırmak ve arayüz devlet yoğunluğunu azaltmak için yüzeysel rezonans (Polonyada SiO2'yi) ayrıştırmak için hedefler, yüksek frekanslı yüzeyler için ısıtılması (parlanmış yüzeyler için ısıtılması veya alüminyum oksit gibi), ve kimyasal tedaviler. Yüksek kaliteli yüzeysel geçiş hızı, yüzey rekombinasyon hızını 106-107 cm /s'ten 10 cm /s'e kadar 10 cm /s'e kadar iyi geçiş için, uzun süreli yüzeyleri ve yüksek devreleri çarpıcı şekilde artırabilir.

Enjeksiyon Seviyeleri

Enjeksiyon seviyesi - aşırı taşıyıcı konsantrasyonuna göre aşırı taşıyıcı konsantrasyonu konsantrasyonu konsantrasyonu - hem hareketlilik hem de yaşam tarzına bağlı olarak, böylece aşırı taşıyıcı konsantrasyonlarının düşük verimsiz olduğu, fazla taşıyıcı konsantrasyonlarının oyuna geldiği yer.

Yüksek enjeksiyon koşulları, taşıyıcı-karrierli saçılma ve tarama etkileri ile etkili hareketliliği değiştirebilir. Daha önemli ölçüde, yüksek enjeksiyonlarda, özellikle Auger rekombinasyon oranlarında, özellikle de belirli artırılmış veya yüksek mevcut koşullara bağlı olarak taşıyıcı konsantrasyonu ile ölçeklenebilir.Bu güçlü enjeksiyon seviyesi artırılmış demektir.

Güneşli güneş altında çalışan güneş hücreleri, örneğin, taşıyıcı difüzyon uzunluğunu azaltabilecek yüksek enjeksiyon seviyelerini deneyimle ve işletim koşullarındaki cihazın performansını kısıtlayan yüksek enjeksiyon oranlarına benzer şekilde, LED ve lazer diyotları ile yüksek akım kesintilerde çalışan artırılmış gecikme sınırlamaları ile çalışır.

Diffüzyon için ölçüm teknikleri

Elektron Beam Indük Current (EBIC)

Elektron Beam Indük Current (EBIC), bir toplama hattının yakınında konumlanan elektron boşluğunu kullanarak, kontraksiyonun parçalanması ve toplandığı gibi, kontraksiyonun üst üste gelen elektron kirişini tarayan bir elektronun yanıp, yarı iletkenliğin bir fonksiyonu olarak elde ettiği zaman, taşıyıcı difüzyonun üst üste sabitlediği taşıyıcının uzunluğuna kadar yüklenebilir ve toplanabilir bir akım üretilebilir.

Elektro kiriş çapı ve taşıyıcı nesil hacmi tarafından belirlenen EBIC'nin uzaysal çözümü, alt katta analiz edilen cihazlara ulaşabilir veya bir cihazdaki difüzyon uzunluğuna ilişkin ayrıntılı haritalar oluşturabilir. Bu yetenek, yerelleştirilmiş kusurları, tahıl sınırlarını tanımlamak için paha biçilmez bir şekilde kanıtlamaktadır, veya işlem-indüklenen hasarlar, normal ölçümler, kesitli cihazlarla kesitsel uzunlukta derinlik işlevi olarak difüzyon uzunluğuna ulaşabilir.

Yüzey Fotovolt (SPV) Yöntemi

Yüzey fotovoltaik teknikler, foton üretilen taşıyıcıların yarı iletkenin yüzey potansiyelini nasıl etkilediği analiz ederek difüzyon uzunluğunu ölçür. Işık malzemedeki taşıyıcılar üretirken, yüzeye doğru difüzyon uzunluğuna bağlı olarak, absorpsiyon katları ve yüzey özellikleri.

SPV yöntemleri, dokunmadan önce hammaddelerin veya malzemelerin işlenmesi için özel bir örnek hazırlama veya cihaz üretimi gerektirmez.Bu, SPV'nin özellikle de cihaz tamamlanmadan önce işlenmesi için kullanışlı olmasını sağlar. Ancak, teknik yüzey rekombinasyon ve modelleme için dikkatli bir kalibrasyon ve modelleme gerektirir ve doğrulama, optik özellikler ve yüzey koşulları hakkında bilgiye bağlıdır.

Photoconductivity Decay

Fotoconductivity ölçümler taşıyıcı ömrünü yarı iletken bir örneklemin iletkenliğinin aşırı taşıyıcılar oluşturmak için nasıl azaltıldığını gözlemler.Diffüzyon uzunluğu, yarı iletkenlik değerine bağlı olarak ölçüldüğünden, doğru ömür boyu ölçümler, diffüzyon katlarının veya hareketliliğin hesaplanmasının bilinmelidir. Örnek aşırı taşıyıcılar oluşturmak için kısa bir ışık nabızı ile aydınlatılır, o zaman bağlı iletkenlik ölçülür.

Bu yöntemdeki boşluklar, elektrik bağlantılarını gerektiren iletkenlik değişiklikleri için en iyi şekilde çalışır ve yarı iletkenlik (QSSPC) ile en azalabilir. Bu yöntemin değişkenleri, mikrodalga fotokodüktif çürüme (μPC) içerir.

Spectral Response Analysis

Tamamlanmış fotovoltaik cihazlar için, tepki veya kuantum verimliliği ölçümler, uzun dalga uzun süre boyunca cihazın derinleştirilmesiyle ilgili bilgi sağlar, uzun dalga uzunluğuna karşı hassas bir şekilde dalgalanır. kısa sürede uzun dalgalar boyunca ışık ısıtılır.

Ölçülen cihazlara verilen yanıt verileri, yerleşik elektrik alanları ve gerçekçi yüzey koşulları ile ilgili olarak, modülasyonlar, doping profilleri ve optik özellikler gibi diğer cihaz parametrelerinin doğru bilgilendirilmesini sağlar.Bu yaklaşım, yerleşik cihaz çalışma koşulları altında, yüksek çözünürlükte ortalama bir şekilde temsil eder.

Farklı yarı iletken malzemelerde Diffüzyon Uzunluk

Kristalline Silikon

Kristal silikon, fotovoltaik uygulamalar için baskın yarı iletken materyali kalır ve birçok elektronik cihazda önemini korur. Yüksek kaliteli monokristal silikon, 1 milisaniye ve azınlık taşıyıcısı diffüzyon birkaç milimetrenin uzunluğuna kadar olağanüstü taşıyıcı yaşamlarına bağlanabilir. Pratik güneş hücresi uygulamaları, diffüzyon uzunlukları genellikle 200 μm'den fazla μm'ye kadar uzanır.

Optik olarak silikonun dolaylı bandı, toplama için 100-300 μm'nin verimli ışık absürtasyonu için absorber kalınlığını teşvik eder. Uzun difüzyon uzunlukları, bu gereksinimin için iyi uygun bir şekilde yapılır - en kalın emiciler toplama için diferansiyel toparlanabilir silikonlar için ile, genellikle daha kısa difüzyon uzunlukları gösterir.

Gallium Arsenide ve III-V yarı iletkenler

Gallium arsenide (GaAs) ve ilgili III-V bileşik yarı iletkenler doğrudan grupgaps sergiliyor, bu difüzyon uzunlukları kristal silikon ile kıyaslanmış tabakalardan çok daha kısa olsa da, GaAs cihazları için tamamen yeterli olduğunu kanıtlıyor çünkü güçlü absorpsiyon sadece birkaç mikrosaniyenin kalınlığını sağlıyor.

GaAs'daki yüksek elektron hareketliliği (yaklaşık 8500 cm2/V·s) silikon ile kıyaslanmış daha büyük bir difüzyon katlarını, daha kısa ömürler için kısmen dengeleyici III-V yarı iletkenleri yüksek performanslı cihazlarda uygulamaları bulmak için, yüksek performanslı cihazlar için gerekli olan yüksek performanslı cihazlara sahip.

Cadmium Telluride ve İnce Film Malzemeleri

Cadmium telluride (CdTe) kristal silikon hücrelerden sadece 2-5 μm kalınlığında önemli bir ince film materyali temsil eder.CdTe tipik olarak güneş spektrumu ile 0,5 ila 2 μm arasında değişir, ki başlangıçta taşıyıcı toplama için sorunlu görünüyor.

Bununla birlikte, CdTe hücreleri bu belirgin sınırlamaya rağmen etkin bir şekilde çalışır, çünkü inşa edilmiş elektrik alanı, ince emülme tabakası boyunca uzanır, difüzyonu destekleyen koleksiyona ulaşır.CdTe'nin güçlü optik absorpsiyonunu geliştirir (aboryonu katsayı 105 cm-1'in üzerinde), çoğu taşıyıcının kontrasepsiyonel sınırlarına doğru aktif bir araştırma alanı oluşturur.

Perovskite Solar Hücre Malzemeler

Metal halide perovskites, gelecek on yıl boyunca olağanüstü verimlilik geliştirmelerine olanak sağlayan vaat eden fotovoltaik malzemeler olarak ortaya çıktı. Bu malzemeler, çözümü işleyen polikristal filmlere rağmen şaşırtıcı derecede uzun taşıyıcı difüzyon uzunlukları sergileyebilir.

Uzun difüzyon uzunluklarının ve güçlü optik absorpsiyonun kombinasyonu ( GaAs'a benzer), perovskite filmlerinde verimli taşıyıcı koleksiyonu sadece 300-500 nm kalın. Bu uzun difüzyon uzunluklarının altında yatan mekanizmalar, daha fazla verimlilik ilerlemeleri ve uzun vadeli stabiliteleri için önemli olacaktır.

Organik yarı iletkenler

Organik kristaller ve organik elektroniklerde kullanılan organik yarı iletkenler genellikle çok kısa taşıyıcı difüzyon uzunlukları sergiliyor, genellikle 5-20 nm aralığında. Bunlar son derece kısa difüzyon uzunlukları düşük taşıyıcı seferberliklerden (tipik olarak 10-4 ila 1 cm2/V·s) ve kısa ömürler organik malzemelerin karakteristikleri, taşıyıcıların bireysel moleküller veya polimer zincirler üzerinde yerelleştirilmiş ve grup taşımaları yerine umut mekanizmaları ile gerçekleşir.

Organik yarı iletkenlerde kısa difüzyon uzunluğu, fotonlar her zaman donör-aksi arayüzleri ile karşılaştırıldığında tamamen farklı bir cihaz mimarisine sahiptir. Organik güneş hücreleri, elektron-donor ve elektron-acceptor materyallerinin nano ölçekli üzerinde samimi bir şekilde karıştırıldığı, foton çıkarılmasının her zaman bir donör-aksepsiyonel arayüzde olduğu gibi, serbest taşıyıcılara karşı ayrımcılığa karşı karşıya olduğunu sağlar.Bu mimari çözüm, diffüzyon uzunluluk kısıtlamasını sağlar, ancak morfoloji kontrolü ve şarj ile ilgili diğer zorlukları da getirir.

Cihaz Tasarımı Tahminler ve Optimizasyon

Güneş Hücre Tasarımı Prensipleri

Fotovoltaik cihazlarda, diffüzyon uzunluğu ve cihaz geometrisi arasındaki ilişki, koleksiyon verimliliğini ve genel performansını temel olarak belirler.En uygun taşıyıcı koleksiyonu için, güneş hücresindeki her bölgenin kalınlığı ideal olarak bu bölgeden daha az veya kıyaslanmalıdır.

Bu tasarım prensibi bir ticaret-off yaratır: kalın emiciler daha fazla ışık yakalar (özellikle de silikon gibi zayıf malzemeler için), ancak etkili koleksiyon için daha fazla diffüzyon uzunluğu gerektirir. Gelişmiş hücre tasarımları bu ticaret-yüzey alanı yapıları, azınlık taşıyıcılarını geri yüzeye yansıtan potansiyel bir bariyer yaratır, bölgeyi etkili bir şekilde genişletir. Pasivated exter ve arka hücre (PERC) mükemmel yüzeyleri bir araya getirir.

Interdigitated back contact (IBC) cells her iki temas arka yüzeyinde, önyüzlülüğü ortadan kaldırmak ve ışık absoratörü ve taşıyıcı nesli için ön yüzeyin optimizasyonuna izin vermek için.Ancak, taşıyıcılar toplama temaslarına daha sonra ulaşmak için sıkı gereksinimleri tasarlar. Başarılı IBC hücreleri diffüzyon uzunlukları 1 mm'yi ortadan kaldırır, sadece en yüksek kaliteli silikon ve mükemmel yüzeysel geçiş ile kullanılabilir.

Bipolar Transistor Design

Bipolar kavim transistörlerinde (BJTs), temel bölgede azınlık taşıyıcı diffüzyon, transistöre ulaşmanın temel taşıma mekanizması oluşturur. Etkili transistör operasyon için, temel genişlik, temel taşıyıcı diffüzyondan önemli ölçüde daha küçük olmalıdır.Bu durumda, en taşıyıcılardan enjekte edilen taşıyıcılardan en yüksek kazanç elde eden temel taşıyıcılardan elde edilir.

BJT'nin mevcut kazancı, koleksiyoncuya ulaşmak yerine, temel genişliğin difüzyon uzunluğuna (örneğin, mevcut kazançların büyük ölçüde düşmesi nedeniyle, mevcut kazanç elde eder.Geçmişte uzun difüzyon uzunluğuna sahip olmak yerine, yüksek performanslı BJTs taban genişliğini istihdam eder ve en az 100 nm veya daha az fazla verimsizliğe ihtiyaç duyar, en az birkaç yüz nanometreye kadar uzun süre boyunca verim verir.

Photodetector Optimizasyon

Fotodetectors optik sinyalleri elektrik sinyallerine dönüştürür, responsivite (düşük optik güçte): hız (grup genişliği) ve gürültü özellikleri. Diffüzyon uzun etkiler her iki soru da şarj edicileri ve hız fotode etkili bir şekilde toplama gerektirir. Yüksek sorumlular, absorber kalınlığının difüzyon uzunluğunu büyük ölçüde aşmamasını talep eder.

Fotodetectorların hızı genellikle cihazdaki taşıyıcıların geçiş süresi ile sınırlıdır. Taşıyıcılar ve kısa transit mesafeler toplamak için uzun mesafeler daha uzun sürerler.Bu, kontraseptörleri ile sınırlı bir ticaret alanı yaratır (daha kalın emiciler ve daha uzun difüzyon uzunlar) ve hız (daha düşük verimsiz emiciler ve kısa transit mesafelerde geçiş süreleri azaltır).

Avalanche fotodiodes (APDs) ve tek foton avalanche diyotları (SPADs) ek düşünceler ortaya koyar, çünkü avalanche multiplikasyon işlemi, taşıyıcıların çoklu bir bölgeye geçişlerini gerektirir.

Gelişmiş Konular ve Current Research

Sıcak Taşıyıcı Etkileri

Standart difüzyon uzun formalite, taşıyıcıların lattice sıcaklığına kıyasla ısıtıldığını varsayar, daha yüksek ve konumları nedeniyle karakterize edilen enerjiler ve daha fazla enerjiye sahip ve lattice'ye göre "hot" vardır. Sıcak taşıyıcılar farklı taşıma ve rekombinasyon özellikleri, yüksek ve konum oranları ve farklı rekombinasyon oranları nedeniyle potansiyel olarak daha yüksek etkili difüzyon katları ile karşılaştırıldığında, daha yüksek enerjiler ile.

Sıcak taşıyıcı etkiler yüksek elektrik alanları veya yoğun aydınlatma altında çalışan cihazlarda özellikle önemlidir ve daha sonra üretim yüksek verimli cihazlar için etkileri olan yarı iletken bir sınır oluşturur. potansiyel olarak Shockley-Queisser verimliliğini limitlerini aşarak, sıcak taşıyıcı diffüzyon uzunlarını anlamak ve genişletilmiş sıcak taşıyıcı ömrü ile gelişen malzemeleri geliştirmek, yarı iletken bir şekilde fizikte daha verimli cihazlar için etkileri olan etkileri ile aktif bir sınır temsil eder.

Kuantum Etki Etkileyicileri

Nanoyapılı yarı iletkenler kuantumlar, kuantum teller ve kuantum noktalarda, bir veya daha fazla boyutta taşıyıcıların enerji seviyelerini ve ulaşım özelliklerini modize eder.Bir yapının fiziksel boyutları taşıyıcı de Broglie dalgalarından karşılaştırılabilir olduğunda (tipik olarak birkaç nanometre), kuantum sınırlı etkiler önemli hale gelir, enerji seviyelerini bozar ve devletlerin yoğunluğunu değiştirir.

Kuantum limiti hem hareketlilik hem de rekombinasyon oranlarındaki değişiklikler yoluyla difüzyon uzunluğunu etkiler.Kontrol taşıyıcıları, sınırları ve arayüzlerden elde etmek, difüzyon katlarını azaltmak için hareketliliği azaltabilir.Tam olarak, kuantum sınırlılık, elektron ve de delik dalga işlevleri arasındaki çakışma oranlarının değiştirilmesi ve devletlerin yoğunluğunun değiştirilmesi ile yeniden kuantum devreleri ile karşılaştırılabilir hale getirebilir. kuantum devreleri, çok kısa difüzyon uzunlukları azaltılabilirken, kuantum kuyularında, kuantum kuyularında, sabit malzemelerle karşılaştırılabilir olan difüzyon oranlarında hala değişebilir.

İki-Dimensional Materials

Grafikte, metal dichalcogenides (TMDs) ve kara fosforun gelecek nesil elektronik ve optoelektronik için umut verici malzemeler olduğu ortaya çıktı. Bu atomik olarak ince malzemeler, grafikte farklı olan benzersiz taşıma özelliklerini sergiliyor, lineer dağıtım ilişkisini ve yüksek hareketliliği son derece uzun difüzyon uzunluğunu sağlıyor.

MoS2 ve WSe2 gibi yarı iletken davranışları daha geleneksel hale getirir, ancak 2D’deki difüzyon uzunluklarında sabit olarak, hataları yönetmek, kontrol arabirimleri ve yük taşıyıcı yaşamlarına bağlı olarak çeşitli çevresel etkilerden kaynaklanan sorunlarla ilgili olarak, pratik cihazlarla ilgili olarak, iki boyutlu malzemelerdeki difüzyon uzunluklarını optimize etmek için önemli kalır.

Ambipolar Diffüzyon

Difüzyon uzunluğu standart tedavi elektronları ve delikleri bağımsız olarak görür, uygun bir taşıyıcı tipi baskınlar (örneğin yarı iletkenler gibi). Ancak, intrinsic veya hafif olarak doldurulmuş malzemeler, ya da her iki elektron ve deliğin de önemli olduğu yüksek enjeksiyon koşullarında, elektron ve dezenfekte olduğu gibi, ambipolar difüzyon denilen bir süreçtir.

ambipolar diffüzyon katsayısı bireysel taşıyıcı diffüzyon katlarından farklıdır ve hem elektron hem de delik seferberliği bağlıdır. ambipolar difüzyon uzunluğu, hem de taşıyıcı türleri ulaşımda önemli ölçüde katkıda bulunan ambipolar diffüzyon katsayısı ile hesaplanmıştır.

Makine Öğrenme Yaklaşımları

Son araştırmalar, makine öğrenme ve yapay zeka tekniklerini yarı iletken malzemelerde difüzyon uzunluklarını tahmin etmeye ve optimize etmeye başladı. Mekanik malzeme özellikleri üzerinde eğitilmiş modeller, işleme koşulları, malzeme kompozisyonu, yapısal özellikler ve bu modeller, uzun süreli işleme yaklaşımlarının en büyük olasılıkla uzun difüzyon uzunluklarını elde ederek materyal geliştirmelerini öngörerek kılavuzluk yapabilirler.

Ek olarak, makine öğrenme algoritmaları, karmaşık özelliklerin veri kümelerini uzaysal olarak çözmüş karakterizasyon tekniklerini otomatik olarak tespit etmek, tahıl sınırlarını sınıflandırmak ve manuel analizlerden daha yüksek olan difüzyon uzun varyasyonlarını haritalama.Ek olarak, yarı iletken özelliklerin veri kümeleri büyüdükçe, bu yaklaşımlar, gelişmiş difüzyon uzunlarının ve cihaz performansı için gelişmiş kullanım koşullarını hızlandırmaya söz verir.

Diffüzyon Uzunluklarının İyileştirilmesi için Pratik Kılavuz

Malzeme Seçimi ve Büyüme

Uzun difüzyon uzunlukları, uygun malzemeleri ve büyüme veya sentez yöntemlerini seçerek başlar. kristal yarı iletkenler için tek kristal malzemeler genellikle en uzun achievable diffüzyon uzunlukları nedeniyle polikristal malzemelerden daha uzun süreler sağlar. büyüme yöntemleri, kusurların yoğunluğunu ve yetersizlik dahil etmek gibi - III-V yarı iletkenler için kristalin-zoniklik için silikon veya moleküler kiriş epitaxy için daha uzun süreler sağlar - en uzun süreler ile daha uzun süreler.

Polykristal malzemeler maliyet veya işleme nedenleri için kullanılmalıdır, maksimum tahıl boyutunu optimize etmek ve kontrollü atmosferde eklenme gibi tahıl sınırlarının iyileştirilmesi, büyük tahılları teşvik etmek için büyüme koşullarını kontrol etmek, tercih edilen kristalsel yönelimler ve düşük kusurların işlenmesine yardımcı olmak için düşük hata kesintiler yardımcı olur.

Hazırlayın ve Geçin

İşlemler, silikon güneş hücresi işlemesinde yaygın olarak kullanılan, metalik boşlukların büyük ölçüde ortadan kaldırıldığı yüzeyde zararlı bir engel oluşturur.Hazır tabakası daha sonra azaltılır, daha uzun taşıyıcı ömürleri ile malzemenin arkasına bırakılır ve yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte.

Hidrojen geçişi, difüzyon uzunluğunu geliştirmek için başka güçlü bir tekniktir. Atom hidrojenin defekti ve tahıl sınırlarında boruları kaybolabilir, taşıyıcı yaşamlarında rekombinasyon merkezleri olarak etkinliğini azaltır. Hidrojen geçişi genellikle hidrojen-zenfekte edici atmosferlerde veya depolayarak hidrojen-zengin filmlerden (örneğin silikon nitrit) hidrojeni toplu olarak pompalayarak takip eder. Hidrojen geçişlerinde ve difüzyon uzunluklarında gelişmeler, özellikle de önemli hatalarla malzemelerde dramatik olabilir.

Yüzey Geçiş Strategies

Mükemmel yüzey geçişi, özellikle ince yapılarda uzun etkili difüzyon uzunluklarına ulaşmak için gereklidir. Multi passivation mekanizmaları, genellikle kombinasyon halinde kullanılabilir. Kimyasal geçişler uygun yüzey tedavileri ve arayüz tabakaları ile arayüzeyleri azaltmaktadır.For silikon, termal oxidation yüksek kaliteli bir SiO2 arayüzü ile düşük arayüzeysel yüzeylerde kullanılabilir, ancak alüminyum oksit gibi depozitolu dielektrikler (Al2O3), kimyasal ve alan etkisi ile mükemmel bir geçiş sağlar.

Alan-son geçiş, 1 cm /s'in altındaki yüzeylerde sabit ücretleri kullanarak, yüzeydeki bir taşıyıcı tipini tekrarlamak, örneğin, yüzey yeniden şarjını sağlayan negatif sabit ücretleri içerir ve özellikle de 1 cm /s'in altındaki yüzeyler için etkili olur ve n-tip silikon için iyi çalışır.

Süreç Optimizasyonu

Cihaz üretimindeki her işlem adım, yüksek hacimli gazlarla kirlenmenin azaltılmasını sağlamak için potansiyel olarak bozulabilir. Plazma süreçleri minimum emisyonu en aza indirmek için koşulları kullanmalıdır.Projektif kimyasal süreçler yüksek emisyonlu kimyasallara veya konteynerlerden kirlenmeye ihtiyaç duyar.

Süreç aynı zamanda önemli konular - potansiyel olarak zarar veren süreçlerden sonra elde edilen ısıtımı ve geçiş adımlarının geri alınması, aksi takdirde kaybedilecek olan difüzyon uzunluğunun azaltılması. İşleme sırasındaki difüzyon uzunluğu, hangi adımların neden bozulmasına yardımcı olur, hedefli optimizasyona izin verebilir. Hızlı termal işleme (RTP) bazen geleneksel olarak daha az miktarda termal tedavilere sahip olabilir, bozulmamış ürücreasyonların difüzyonunu azaltır ve minimum kusur üretimi azaltılabilir.

Ortak Pitfalls ve Sorun Gidering

Ölçüler

Difüzyon uzunluğunın doğru kararlılığı, özellikle ince örneklerde veya yüzeysel gerileme arasındaki farkın zayıf olması için etkili difüzyon uzunlukları ölçülebilir veya yüzeysel rekombinasyon sınırlamaları ile ilgili ölçümler için gerekli olan teknikler kullanarak, özellikle de yüzeysel değişikliklerde ve yüzeysel gerilemede yüksek çözünürlüktedir.

ömür boyu ve difüzyon uzunluğunın enjeksiyon seviyesi, bir aydınlatma yoğunluğunda yapılan ölçümlerin doğru şekilde temsil edilememesi anlamına gelir. Enjeksiyon seviyesi işlevi olarak diffüzyon uzunluğu daha tam bilgi sağlar ve daha doğru cihaz modellemesini sağlar.Malzemesel olmayan özelliklerdeki Spatial value may notly define a material with important space changes in quality.

Contamination Issues

Metal kirliliği, yarı iletken malzemeler ve cihazlardaki beklenmedik kısa difüzyon uzunluklarından birini temsil eder. geçiş metallerinin izleri bile taşıyıcı ömrünü dramatik olarak azaltan derin seviye tuzakları ortaya çıkarabilir. Contamination, kristal büyüme sırasında meydana gelebilir, wafer işleme veya cihaz üretimi, kontraksiyon kimyasalları, kontrasepsiyonel ekipmanlarını veya uygunsuz kullanımdan.

Konsültasyonun önlenmesi malzeme ve cihaz işleme boyunca titiz temizleme protokolleri gerektirir. Yüksek hacimli kimyasallar ve gazlar kullanarak temiz işleme ekipmanları koruyabilir ve uygun şekilde kesinti işlemlerinin tüm yardımı en aza indirmek için en aza indirme prosedürlerini sağlar.Ne zaman kirlenmeden şüphelenilir, analitik teknikler derin seviyesindeki geçici spektroskop (DLTS) veya yaşam spektroskopu gibi belirli kirleticileri tespit edebilir, rehberlik çabalarını belirleyebilir.

Süreç-Indük Hasar

Birçok yarı iletken işleme adımları, yüksek çözünürlükte hasarları tanıtabilir. Ion implantasyon, bazı mesafeleri kristal kaliteyi geri yüklemesi için eklenmiş olan bir hasar yaratır. Plazma veching yüzeylerde iyon bombalanma hasarına neden olabilir. Lazer işleme, testere, taşlama gibi mekanik süreçler, ve deterjan oluşturmak gibi yüzey hasarı yaratır.

Süreç tarafından oluşturulan hasarları tanımak, her işlemle ilişkili hasar mekanizmaları anlamak ve uygun remediasyon adımları uygulamak için gerekli olan hasar mekanizmaları anlamak gerekir. Termal ekleme birçok hasar türünü onarsa da, ek olarak koşullar diğer bozulma mekanizmaların belirlenmesine yardımcı olur.Removing hasarlı yüzey tabakalarını etching veya parlama işlemine izin vermek, hasarların yakın bölgelere sınırlı olduğu durumlarda diffüzyon süresini geri yüklemek.

Future rotası ve Gelişen Uygulamaları

Yarı iletken cihazlarda difüzyon uzunluğunın önemi, yüksek verimsiz cihazlar için araştırma yapmaya devam ediyor. Gelişmiş karakterizasyon teknikleri ve cihaz mimarisi gibi fotovoltaik malzemeler, organik-inorganik hibritler ve kuantum katılar, taşıyıcı ulaşım ve rekombinasyonun yüksek verimsiz cihazlar için optimize edilmesi için temel anlayışına ihtiyaç duyuyor. Gelişmiş karakterizasyon teknikleri, zamansal olarak, zamansal ve enerji çözümü, nano ölçekli kontrol eden faktörler hakkında daha ayrıntılı anlayış sağlayacaktır.

Sıcak taşıyıcı güneş hücreleri, orta grup güneş hücreleri ve birden fazla eksiltgen nesil cihazlar, taşıyıcı taşıma özellikleri üzerinde yeni talepler meydana gelir ve geleneksel difüzyon uzun konseptlerini yeniden düşünmek için merkezi kalabilir. Nöromorphic hesaplama cihazları ve diğer ortaya çıkan elektronik uygulamalar, istenen işlevsellik elde etmek için malzemelerden yararlanabilir. As yarı iletken cihazlar ortaya çıkar ve yeni malzemeler ve cihaz konseptleri ortaya çıkmaya devam eder ve difüzyon uzunluğu en iyi cihaz performansı elde etmek için merkezi kalacaktır.

Hesaplamalı malzemelerin entegrasyonu, yüksek kodlu deney ve makine öğrenme yaklaşımları, belirli uygulamalar için uygun difüzyon uzunlukları ile malzemelerin keşfini ve optimizasyonunu hızlandırmaya vaat eder. Teorik tahminler, hızlı deneysel tarama ve veri odaklı optimizasyon, araştırmacılar, uzun difüzyon uzunlu cihazların elde edilmesi için en iyi yaklaşımları ve yüksek performanslı cihazlarla ilgili daha verimli bir şekilde keşfedebilirler.

Sonuç Sonuç Sonuç Sonuç Sonuç Sonuç Sonuç Sonuç

Diffüzyon uzunluğu, yarı iletken teknolojideki mikroskopik malzeme özellikleri ve makroskobik cihaz performansının temel bir parametre olarak duruyor.Diffüzyon uzunluğunın fiziksel kökenlerini anlamak, taşıyıcı ve rekombinasyon arasındaki matematiksel ilişkileri, yarı iletken cihaz tasarımında çalışan herkes için önemli bilgiler sağlar, bilim veya ilgili alanlarda çalışan faktörler. L = √(D × ⁇ ) nakliye ve rekombinasyon arasındaki etkileşimin yeniden düzenlenmesinden önce kavimleri toplamak.

Uzun difüzyon uzunluklarının malzeme kalitesine, işleme koşullarına, yüzey ve arayüz özelliklerine dikkat etmesi ve cihaz tasarım göz önünde bulundurulduğundan, cihaz geometrilerini optimize etmek için etkili geçiş stratejilerine giriş yapmak için yüksek çözünürlükte, yarı iletken teknolojinin her yönü, difüzyon uzunluğunu ve sonuçta cihaz performansını etkileyebilir. As yarı iletken cihazlar gelişmeye devam eder - daha verimli, daha küçük ve daha çeşitli uygulamalara - difüzyon uzunluklarının sınırlarını zorlamak için merkezi kalacaktır.

Araştırmacılar için mühendisler ve öğrenciler yarı iletken malzemeler ve cihazlarla çalışır, difüzyon uzunluğu hakkında sezgi geliştirir ve bu kapsamlı kılavuzda tartışılan kavramlar ve teknikler bu kritik parametreyi anlamak ve manipüle etmeye devam eder.En yüksek verimlilik için güneş hücreleri optimize etmek, şüphesiz ki, yüksek hızlı transistörler geliştirmek, hassas fotodetektörler geliştirmek veya yeni malzemeler ve cihazlar hakkında bilgi ve teknikler araştırmak, bu kapsamlı kılavuzda tartışılan kavramlar ve teknikler bu kritik parametreyi anlamak ve manipüle etmek için temel sağlar.

Yarı iletken fizik ve cihaz tasarımı hakkında daha fazla okuma için, SCULLT:0)PV Eğitim web sitesi[Dönetici:0) fotovoltaik cihaz fiziği üzerinde mükemmel kaynaklar sunar, ancak taşıyıcı Enstitünün yarı zamanlı veritabanı[Döneticileri için[Döneticileri)[Döneticileri)[Döneticileri) bu kılavuzda kapsadığı temel ilkeleri tamamlar ve belirli sistemlerde daha özel sistemlerde ve malzemelerde daha özel uygulamalarda daha özel bilgiler sağlar.