Bir p-n ekleminde yerleşik potansiyel, yarı iletken cihazların davranışını etkileyen önemli bir parametredir. Teorik hesaplamalar ve deneysel ölçümler dahil olmak üzere çeşitli yöntemler aracılığıyla belirlenebilir.Bu kılavuz, inşa edilen potansiyelin doğru bir şekilde tahmin edilmesi için pratik adımlar sunar.

Yapılı Potansiyelin Teorik Hesaplaması

En yaygın yaklaşım, p tipi ve n tipi bölgelerin doping konsantrasyonlarını içermektedir. Formül şu:

[FONT:0)V ) = (kT/q) * ln(N))[D[DÜye ait değil.

Nerede:

  • [FONT:0]V ) = yerleşik potansiyel potansiyele sahip olan potansiyele sahip olma =
  • [FONT:0]k[DÜT:1] = Boltzmann sabit
  • [FONT:0)T) = Kelvin'deki sıcaklık
  • [FONT:0)q[DÜT:1][/FONT][/FONT=
  • [FONT:0)N) = kabul veya doping konsantrasyon konsantrasyonu =
  • [FONT:0)N) = bağışçı doping konsantrasyon konsantrasyonu
  • [FONT:0]n ). = Intrinsic taşıyıcı konsantrasyonu konsantrasyon konsantrasyonu = intrinsic taşıyıcı konsantrasyon konsantrasyonu

Deneysel ölçüm Yöntemleri

Bir pratik yöntem, kesinti genişliğini ölçmeyi ve yerleşik elektrik alanını içerir. Teknikler kapasitance-VPN (C-V) profilleme ve mevcut gerilim (I-V) ölçümleri içerir. Bu yöntemler potansiyel tahmin etmek için ampirik veriler sağlar.

Ölçmek için Pratik Adımlar

İnşa edilen potansiyel deneysel olarak belirlemek:

  • p-n kavim cihazı hazırlayın ve bir ölçüm kurulumuna bağlanır.
  • Çeşitli gerilimlerde kesintiye uğramak için C-V ölçümlerini uygulayın.
  • Plot 1/C)2[Dönem: 1) gerilime karşı ve inşa edilen potansiyelini tahmin etmek için darbeyi bul.
  • Alternatif olarak, açık-cirküre gerilimi denge koşulları altında ölçül.