Yarı iletkenlerde şarj taşıyıcı konsantrasyonunu anlamak elektronik cihazlar tasarlamak için önemlidir. Bu makale ortak teknikler tartışır ve ilgili sorunları verimli bir şekilde çözmek için örnekler sunar.

Şarj Taşıyıcısı Temel Kavramları

Şarj taşıyıcı konsantrasyonu yarı iletken bir malzemeden serbest elektron veya delikler sayısına işaret eder. [Dörtücük iletkenlik ve cihaz performansına etkiler.0]10).13).[FLT:D[FLT: 10[FLT: 19[D 7 taşıyıcı) santimetrelik başına yüklenebilir.

Çözme Sorunları

Ayrıca, sorumlu taşıyıcı konsantrasyonları belirlemek için çeşitli yöntemler kullanılır:

  • [FONT=0]Mass Action Law:[Dönetici elektron ve delik konsantrasyonları intrinsic taşıyıcı konsantrasyonu aracılığıyla azaltılır.
  • [FONT=0)Fermi-Dirac İstatistikler: Enerji dağıtımlarına dayanan ayrıntılı hesaplamalar sağlar.
  • [FONT:0)Equilibrium Koşulları:) Taşıyıcı arıları bulmak için seviye ve sıcaklık kullanın.

Örnek Problem ve Çözüm

Bir silikon yarı iletkeninin, sansörlerle bir konsantrasyonda yapıldığını varsayalım:0)10)|-3 [Dönetici sıcaklık oda sıcaklığıdır ve silikonun konsantrasyonu °T:6[FLT: 6][FLT: 7,9[FLT: 9 cm[FLT: 3[FLT: 3[FLT: 3).

Kitlesel eylem kanununu kullanarak:

[FONT=0] × p = n[DÜT:2][DÜDÜDÜ:2][DÜDÜDÜDÜDÜDÜDÜDÜye Değeri: 4)[Üye Değer: 4)

Doping n tipi olduğundan, çoğu taşıyıcı elektrondur ve elektron konsantrasyonu GÜNCÜ:0)) bağışçı konsantrasyonuna eşit:

[FONT:0]n ⁇ 10[DÜT:2])|Dönemli ⁇ 10[[Dönem:2]).

Deliğin konsantrasyonuFL:0)p) olarak bulunabilir:

[FONT=0)= n[DÜŞÜye: ⁇ [0][Üye: ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ × 10[DÜye: 9,4[DÜye)[DÜye ait olan) [FLT: 7,9|[DÜye/ 10[FLT: 9,16|D)