Schottky ve P-n Diodes'daki Depletion Bölgelerini Improv Device Design için Hesaplamak

Bu bölgenin doğru hesaplanması, elektronik devrelerde yaygın olarak kullanılan daha verimli Schottky ve p-n diyotları tasarlamaya yardımcı oluyor.

Schottky Diodes Bölgesi'nde Ayrılma Bölgesi

Schottky diyots'ta, metal-semiktör arayüzündeki kesinti bölgesi formları. genişliği çalışma fonksiyonu farkı ve doping seviyelerine bağlıdır.Depletion genişliği, yerleşik potansiyel ve doping konsantrasyonunu kullanarak hesaplanabilir.

Ayırma genişliği (W) tarafından verilir:

[0]W = sqrt ( (2 * ⁇ * V bi) / (q * N d)).

⁇ yarı iletkenliğin izini nerededir, V bi inşa edilmiş potansiyel, q temel şarjdır ve N d bağışçı konsantrasyondur.

P-n Diodes Bölgesi'nde

P-n diyotlarında, p-tip ve n tipi malzemeler arasındaki kavim bölgesi formlarını parçalayın. Genişleme, diyot'un ileri ve ters yan davranışını etkiler.Bu genişliği benzer ilkeleri hesaplamak, ancak her iki tarafını dakır.

Bir p-n ekleminde (W) bir kesinti ile hesaplanır:

[0]W = sqrt ( (2 * ⁇ * (V bi + V R) / (q * (N A + N D) / (N A * N D)).

V R'nin uygulanan ters önyargı olduğu yerde, N A ve N D sırasıyla kabul veya bağışçı konsantrasyonlarıdır.

Tasarım

Doğru kesinti bölgesi hesaplamaları, farklı önyargı koşullarında cihaz davranışını tahmin etmek için mühendislere olanak sağlar.Doping seviyelerini ve malzeme özelliklerini ayarlama belirli uygulamalar için kesinti genişliği optimize edebilir.

Bu parametrelerin etkisi altındaki temel faktörler, doping konsantrasyon, malzeme izin verme ve uygulanan gerilim içerir. Bu parametrelerin Proper kontrolü cihaz verimliliğini ve uzun ömürlülüğünü artırır.