Kardiyop taşıyıcı ömrünü silikon wafers'te anlamak yarı iletken cihazların performansını optimize etmek için önemlidir. Bu yaşamları ölçmek için çeşitli pratik yöntemler kullanılır, maddi kalite ve cihaz verimliliğine değerli bilgiler sağlar.

Photoconductance Decay Method

Fotokodükasyon çürüme yöntemi, silikonun hafif bir pul ile kapatılmasını ve ortaya çıkan fotoğrafın çürümesini ölçmesini içerir. Bu teknik yaygın olarak kullanılır çünkü hızlı ve imha olmayan ölçümler sağlar.

Zaman-Re çözülmemiş Photoluminescence

Zaman kaynaklı fotolumines (TRPL) taşıyıcıların yeniden tanımlanmasını ek olarak uyarıp, baskı sonrası ışık tespit ederek ölçtü. fotolumines sinyalinin çürümesi, azınlık taşıyıcılarının ömrünü gösterir. TRPL yüksek uzaysal çözünürlük sunar ve ince wafers veya yerelleştirilmiş bölgeler için uygundur.

Mikrodalga Fotokodüksiyon Teknikleri

Bu teknik, optik excitation'ten sonra silikon wafer'in iletkenliğinde değişiklikleri tespit etmek için mikrodalga sinyalleri kullanır. Bu teknik, azınlık taşıyıcı ömrünün sınırsız ölçümünü sağlar ve karmaşık geometrilerle wafers için kullanışlıdır.

Ek düşünceler

Yüzey rekombinasyon gibi faktörler, doping seviyeleri ve ölçüt yaşamını azaltın. Bu faktörlerin proper kalibrasyonu ve anlaşılması doğru sonuçlar için gereklidir. Birden fazla yöntemi birleştirmek ölçüm güvenilirliğini artırabilir.