Giriş: Güç Elektronikinde Seninristorsun Rolü

Thyristors yüksek güç elektroniklerinde en kritik yarı iletken cihazlar arasında, güçlü anahtarlar olarak çalışan gerilimleri 10 kV ve mevcutları kiloamper aralığında genişletiyor. Bu dört katmanlı, üç katmanlı cihazlar motor sürücülerinde bulunur, H999 iletim sistemleri, endüstriyel ısıtma kontrolleri ve büyük güç malzemeleri. aristornun performansı doğrudan üretim sürecinin hassaslığına bağlıdır, ki bu da silikonun tam olarak dolanan, çok katmanlı bir yarı iletken yapısına dönüşmesini sağlar.

Yourristors'ın üretimi, on yıllar boyunca geliştirilen yarı iletken üretim teknikleri ile gelişmiş malzemeler bilimi birleştirir. Her adım, kristal büyümeden nihai teste kadar, yüksek gerilim, yüksek akım uygulamalar için gerekli olan elektrik özelliklerini elde etmek için aşırı hassasiyetle uygulanmalıdır.Bu makale, her aşamada teknik derinlikleri incelerken, cihaz ve güvenilirlik tespit eden kritik süreci kontrollerini vurgular.

Raw Silikon Material: The Foundation of Device Performance

Üretim süreci metalurjik-grad silikon ile başlıyor, bu da yaklaşık% 98,99'u aşan silikonu saflaştırmak için hidrojen ile kesintiye uğratmaktadır (SiHCl)3)) Bu hiper-kozme silikonu, tamamlanmamış bir elektriksel özellikleri ortadan kaldırmak için ısıtılabilir ve sonra da silikonu % 99.9999999'u aşan silikonu azaltacaktır.

Bu işlemde, kristalin eğimli silikon ve yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş yavaş bir şekilde, bir mikrop makinesinin içindeki yüksek çözünürlükte bir şekilde, yüksek çözünürlükte bir şekilde yüksek çözünürlükte.

Ingot kristal kusurları için titiz bir inceleme, direnç üniforması ve oksijen içeriğine 200-400 lik bir dirençle girmeden önce, 8 kV cihazı 800-1200 lik bir pompaya ihtiyaç duyarken, daha yüksek gerilimler saçılımlılığı silikonu daha büyük bir kesintiye uğratmak için gereklidir. Örneğin, 4 kV'de bir göz ardı edilen bir his silikonu 200-400 ohm-cm'e göre kullanabilir.

Wafer Hazırlık ve Yüzey Durumlandırma

Silikon ingot, iç yatak odalı bir elmas bıçağı veya çok boyutlu bir yığınlama ile donatılmış hassas bir makineye monte edilir, çünkü çok boyutlu testereler endüstri standardı haline gelmiştir, çünkü birden fazla yük kesintisi ve aynı anda ısıtımı azaltır ve pompalanır.

Kaktıktan sonra, wafer yüzeyini geri döndürerek, her taraftan malzemenin 20-50 mikrometresini ortadan kaldırmak için tıkanmış olur. Lapping, daha sonra sıvı bir taşıyıcıda alumina veya silikon ışıntılı, geri dönene kadar basılmış bir sıvı asittir.Bu işlem, ikiyüzlü silikon yüzeyinin yaklaşık 20 ila 50 mikrometresini azaltır, yüzeysel piyonları yaklaşık 0,5 mikrometreye düşürür ve sonra da nitrik ve hidrofloreksiyonu kırılır.

[Sessiz bir vücut, bir metalik silücünün veya yarı-safıkların (düşün) bir şekilde temizlenmesi için, silikon yüzeyinin ısıtılması için gerekli olan ısıtılması gerekir.[16/01/2012).

Doping: P-N-P-N Structure

Yourristor'un karakteristik dört katmanlı yapısı, p tipi ve n tipi bölgeleri değiştirmek için kullanılmaktadır. Doping kontrollü miktarlar elektrik iletkenliğini değiştirmek için silikon lattice'ye bağlanır. Belirli doping profili cihazın arıza gerilimi, turn-on özellikleri ve hız gerektirir.Youristor doping genellikle farklı cihaz bölgeleri için ayrı avantajları sunar.

Diffüzyon Doping

Diffüzyon, yüksek sıcaklıklara (900-12-5C) ısıtıcı gazlar veya sağlam kaynaklarla sınırlıyor.For p-type regions, boron tribromide (r[D) olarak tanıtılır[Döntgenmeler[Döntgenmeler[Döntgenmeler için) veya PFLD)

Ion Implantation

Ion implantasyon, dopant konsantrasyonu ve derinliğini difüzyon ile karşılaştırır. Bu süreçte, dopant iyonları genellikle 5 keV'den 400'e kadar uzanan ve silikonun derinliklerine yönlendirerek, zonitler tarafından belirlenirken, PPD'nin üzerindeki bu hızları korur.

Epit aksiyel Büyüme: Katmanı Katmanı Katman

Birçok modern yourristors, özellikle kesin tabaka kalınlığı kontrolü gerektirenler için, epit aksiyel büyüme, kireçli silikon tabakaları, yüksek çözünürlükte bulunan ve yüksek çözünürlükte bulunan yüksek çözünürlükte bulunan yüzeylere de katılmaktadır.

Cihaz Kumaşı: Fotolithography and Etching

Dolanan tabakalar oluşturulduktan sonra, fotolitoloji, 1-3 mikrometrenin düzgün bir direnç elde etmek için 2000-4000 RPM'nin ortaya çıkardığı fotoziste denilen bir fotosamış polimer uygulama ile başlar.Referanslar, direnç gösteren bölgelerden sonra, sağlam bir dirençle ortaya çıkar.

Yüzeyli beton asitleri, silikon ve silikon yağı için, aynı oranda tüm yönlerden uzaklaştırılırken, hipokratların maskenin altında kalmasına neden olur.[TFL]

Birden çok fotolitoloji ve etching döngüleri, tam cihaz yapısını oluşturmak için yapılır. Tipik bir yourristor üretim dizisi, anode temasını tanımlamak için beş ila sekiz maske katmanı içerebilir, kedihode yayılabilir, kapı bölgesi, kenar sonu, geçiş ve metalizasyon.

Oxidation and Dielektrik Formasyon

Silikon tabakasının ısıtılması için maskeler, yüksek kaliteli oksitler, yüksek kaliteli oksitler için, yüksek kaliteli oksitler, yüksek çözünürlükte, yüksek kaliteli oksitler için, yüksek çözünürlükte, yüksek çözünürlükte, yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte, yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte, yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte, yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte, yüksek çözünürlükte ısıtılır.

Termal oksit ek olarak, kimyasal buhar dakonsolosluk, silikon nitrit (Si)3)) veya silikon oxynitri tabakaları daha düşük sıcaklıklarda (400-800°C) olarak kullanılır.Bu depolanmış dielektrik tabakaları daha fazla ısıtılırken veya farklı bir dielektrik özelliği gerekli olduğunda, silikon tabakaları ve yüksek yoğunluk ve kimyasal tabakaları temizler.

Metallizasyon: Mekanikleri Şekillendirmek

Metallizasyon, aristornun bölgelerini dış pakete bağlayan elektrik kontakları yaratır. Metal sistemi hem p tipi hem de n tipi silikon, yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte, alüminyum ve silikon yüzeyler için de geçerlidir.For yourristors, metalizasyon genellikle birden fazla metal tabakayı içerir.

Fiziksel buhar, sert veya elektron-beam buharı gibi yöntemler, metal bir makineyi bir hedef materyalinden atomlara sıkıştırarak, bu yöntem üstografiye iyi bir adım kapsama sağlar ve kontrol edilen kompozisyonla alaşımların ayrıştırılması gerekir. Elektron-beam buharı bir elektrik santralini kullanarak, kaynağın tamamının tamamının tamamının tamamının buharlaşmasına neden olur.

Assembly ve Ambalaj

Tüm wafer seviyesindeki üretim adımları tamamlandıktan sonra, wafer, özellikleri karşılamak için başarısız olan kilitler, her bir yüksek çözünürlüklü bağlantı ile tekrarlanan yüksek gerilimler için baskı veya basınç azaltımı gibi temel parametreleri ölçmek, baskı yapmak için baskı yapmak için baskı yapmak için baskı yapmak için baskı yapmak için baskı yapmak için baskı yapmak veya kesintiye uğramak için önemli.

Yanlı lensler, daha sonraki ambalaj veya operasyon sırasında çatlakları kırabilecek şekilde, yüksek çözünürlükte, yüksek çözünürlükte, yüksek çözünürlükte, yüksek çözünürlükte bulunan ısıtılmış bir yüzeysel transferler için ayrı ayrı ayrı ayrıklık sağlar.

Die eki, yüzeylere ek olarak, alüminyum eller kullanarak, metalik kablolar ile donatılmış ve yüksek çözünürlükte bulunan metaller için kullanılan metaller için kullanılan metaller için kullanılan metaller için kullanılan bir paket cihazı oluşturmak için kritik bir paket cihazıdır.

Kalite Kontrol ve Test

Üretim sürecinde, çok sayıda kalite kontrol noktası, sadece cihazların titiz özellikleri bir sonraki aşamaya kadar devam etmesini sağlar.Gelişkin inceleme, dayanıklılık, kalınlık ve kusur yoğunluğuna karşı uyarı verir.In-process monitoring uses test wafers and ölçüm structures to evaluates, oksit kalitesi ve metal adhesion. After package, yourrs have a comprehensive batarya of electric tests that characterize every parameter related to their application. Forward and wrong the correct testing voltaj testing processes without the device can worth visible voltaj without the selected operator. Leakage current is measure at the correct temperature.

Dinamik test, sizinristokratın geçiş performansını değerlendirir. dönüş zamanı (t[D:0)[Dönetici:0)[Dönetici)[Dönetici)) ve optik hız testinin hızlanması, yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte olan bir hız testinin (dv) hızlanması için, yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte bir hız testinin kullanılması durumunda, bu parametrenin yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte yüksek çözünürlükte bir hıza yol açma işlemine yol açabilir.

Güvenilirlik testi, her üretim toplularından çok fazla örnekle yapılır. -55°C ve 150°C arasında sıcaklık bisikleti, paketin mekanik bütünlüğü test eder ve ekstelenmiş yüksek sıcaklık testi, yüksek akımlar arasında yüksek-şimdilikli testlerin dinamik bütünlüğünü tespit etmek için 1000 saat boyunca yüksek-enerji testlerini alternatifleri tespit etmek için analiz eder. Tüm bu testleri transfer işlemlerinin ardından tüm testlerin nakliye için cihazlar tarafından kaydedilir.

Sonuç: Sand'dan Yol Anahtarlamak için

Yourristors'ın üretimi yarı iletken mühendisliğin en sofistike başarılarından birini temsil eder.Sürücü cihazların son güvenilirlik testine silikonun ilk saflaştırılmasından, her aşama, betonlama, proseslerin ve ölçümlerin kesin kontrolünü gerektirir.Dönetici, dört katmanlı p-p-n yapısı, belirli bir gerilim ve mevcut mikrobiyografiye sahip olan mikroskoplar için tuval olarak hizmet eden profillerin yapımına kadar yapılır.

Güç elektronikleri daha yüksek verimlilik ve daha büyük güç yoğunluğuna doğru geliştikçe, aristokrat üretimine devam ediyor. Silikonlı otomobillerin temel ilkeleri, bu yenilikler için sıcaklıklarını 300 °C ve gerilimleri aşan olarak, 15 kV'nin ötesindeki bu yeni malzemeler, üretim sürecinin her adımını, kristal büyüme ve paketleme ve test etme gibi üretim tesislerini geliştirmeyi gerektiriyor.