Bir transistörin işletim bölgelerinin elektronik devreleri tasarlamak ve sorunlandırması için gerekli olduğunu anlamak: Alt, aktif ve saturasyon. Bu bölgeleri tanımlamak, cihazın içindeki gerilim ve mevcut koşulları analiz etmek.

Transistor Bölgelerinin Teorik Basis

Üç birincil bölge, transistör terminallerinde gerilimler tarafından tanımlanır. Bir bipolar bir kavim transistör (BJT), temel-emitter ve baz-collector gerilimleri, işletim durumunu belirler.Temelde-emitter eklemi ileriye dönük değildir, transistör kesintiye uğrar.

Pratik ölçüm teknikleri

Çokmeter ile gerilimler ve mevcutlar işletim bölgesini belirlemenize yardımcı olur. Anahtar ölçümler şunları içerir:

  • Base-Emitter Ger (V BE)
  • Kollektif-Emitter Ger (V CE)
  • Base Current (I B)
  • Jewel Current (I C)

Aktif bölgede silikon BJT için tipik değerler V BE yaklaşık 0.6-0.7V ve V CE V BE'den daha büyük. ⁇ Şeref, V CE V BE'nin altında, çoğu zaman 0.2V ve V CE'nin yakın olduğu, negable akımlarla.

İşletim Bölgesini Belirlemek

Ölçülen gerilimleri bilinen eşleri karşılaştırarak, işletim bölgesi tanımlanabilir. Örneğin, V BE yaklaşık 0.7V ve V CE yüksekse, transistör düşük ve mevcutsa, şarj edilebilir.If V CE is low and currents are high, it is in situration. if currents are minimal and gerilims are near zero, the device is in cutoff.