Transistörlerin dönüş-on gerilim eşlerini anlamak, verimli güç dönüştürücüleri tasarlamak için önemlidir. Silikon ve Gallium Nide (GaN) transistörlerin geçiş davranışlarını ve genel performansını etkileyen farklı özelliklere sahiptir.

Silikon Transistor Turn-On Ger

Silikon transistörleri tipik olarak 0.7V'den 1.5V'ye kadar değişen bir eş gerilimine sahiptir. Bu gerilim, transistörleri dönüştürmek ve mevcut akışa izin vermek için gerekli olan minimum kapı kaynaklı gerilimdir.

Tasarımcılar genellikle güvenilir geçiş sağlamak için eşk gerilimin üzerinde bir marjı düşünün. Örneğin, bir silikon MOSFET, 10V'nin tam olarak onu açmak için bir kapı gerilimi ile yönlendirilebilir.

GaN Transistor Turn-On Ger

Gallium Nitrin transistörleri genellikle 2V ve 4V arasında daha yüksek bir eşküre gerilimine sahiptir, ancak bir kez aktif olarak, daha düşük maliyetli ve daha hızlı geçiş hızları sunar.

Bu özellik GaN transistörleri yüksek frekanslı uygulamalar ve yüksek verimli güç dönüşümü için uygun hale getirir. Proper kapısı sürücü gerilimi, avantajları tamamen kullanmak için kritiktir.

Thresholds in Converters

Bir dönüştürücüdeki dönüş-on gerilimi eşini belirlemek için, transistör veri tablosu özelliklerini göz önünde bulundurun. eşküresel gerilim (V[D:0)[Dönetici:0)[Dönetici: 1 ), kontrol için gerekli olan minimum kapı gerilimi gösterir. Kapıyı temin etmek için gerekli olan devreleri güvenilir işlem için bu eşiklüğün üzerindeki bir gerilim sağlar.

Silikon transistörleri için, 10V'nin tipik bir kapısı gerilimi yaygındır, eşiğin üzerinde bir güvenlik marjı sağlar. GaN transistörleri için, 4V'ün 5V'nin sürüş gerilimi genellikle yeterlidir, ancak bazı tasarımları tam iletim için daha yüksek gerilimler gerektirebilir.

  • V için transistör veri tablosunu kontrol edin)).
  • Kapı sürücü gerilimi V'yi aşıyor) güvenli bir marj tarafından ).
  • Değiştiren sürücü devreleri geçiş gereksinimlerine göre ayarlayın.
  • Eşlik gerilimi üzerindeki sıcaklık etkilerini düşünün.