Bu malzemelerdeki hataların varlığı elektrik özelliklerini ve genel cihaz performansını önemli ölçüde etkileyebilir. Bu defekt devletlerinin cihaz güvenilirliğini ve verimliliğini artırmak için çok önemlidir.

Kesirli Devletler Türleri Yarı iletkenler

Yarı iletkenlerdeki devletlerin, işaret hataları, line kusurları ve planar kusurlarına göre kategorize edilebilir. Point kusurları vacancies, interstitials ve impurity atomları içerir. Bu yerelleştirilmiş bozulmalar iletkenlik ve rekombinasyon oranları etkileyebilir.

Line kusurları, dislokasyonlar gibi, genişletilmiş lattice deme bölgeleri oluşturmak. Planar kusurları, tahıl sınırları ve yığınlama hataları içerir, ki bu da akans için akantı veya siteler için bariyerler olarak hareket edebilir.

Device Performansı Üzerine Etkisi

Defect devletler, taşıyıcı yaşamlarını azaltan rekombinasyon merkezleri olarak hizmet eden enerji seviyelerini tanıtabilir. Bu, güneş hücreleri ve ışık kaynaklı diyotlar gibi cihazlarda verimlilik azaltmaktadır.

Ek olarak, hata durumlarının sızıntı akımlarına, gürültüyü artırmasına ve zaman içinde cihaz başarısızlığına yol açabilir. Bu kusurları yönetmek ve minileştirmek, cihaz ömrünü ve performansını artırmak için önemlidir.

Analiz Yöntemleri

  • Deep- level Geçici spektroskop (DLTS)
  • Fotoluminescence spektroskopi
  • Elektron Mikroscopy
  • Elektrik ölçümleri

Bu teknikler, kusurların türlerini ve enerji seviyelerini tanımlamaya yardımcı olur. Doğru analiz kılavuzları malzeme işleme ve defm stratejileri.