Yüksek frekanslı geçiş sırasındaki MOSFET'lerde güç dağılımını anlamak, verimli elektronik devreleri tasarlamak için gereklidir. Doğru hesaplamalar aşırı ısıtmayı önlemeye ve güvenilir güç cihazlarının çalışmasını sağlar.

MOSFETs'te Güç Depresasyonu Temelleri

Bir MOSFET'deki güç dağılımı, özellikle de iletim ve çıkış kayıpları nedeniyle meydana gelir.Anlaşma kaybı, cihazın on devlette olduğu zaman gerçekleşir, geçiş kaybı ve devletler arasındaki geçiş sırasında meydana gelir.

Hesaplama Kayıpları

Davranış kaybı formülü kullanarak tahmin edilebilir:

[FONT:0)P[Dönemli [Dönemli:2)[Dönemli)[Dönemli: 4)[Dönemli: 4)[DÜye: 4)[*)[*)

I)load şu anki ve R )[değiştir | kaynağı değiştir] ).

Anahtarlama Kayıplarını Hesaplamak

Anahtarlama kayıpları, gerilime, mevcuta ve zamanlara bağlıdır. Yaklaşık formül:

[FONT:0)[DÜDÜDÜŞÜNÜCÜŞÜŞÜNÜŞÜŞÜNÜŞÜŞÜŞÜNÜŞÜNÜŞÜŞÜŞÜNÜŞÜNÜ TÜSİADİ: ×[DÜŞÜNÜŞÜŞÜNÜDÜŞÜNÜŞÜŞÜNÜŞÜŞÜŞÜŞÜŞÜŞÜye İLGİLİİ: 9)

V)DS) [Dönetici gerilimi, t) ve t) [Düzme[DÜye ait olan düşüş[DÜye Olmayanlar İçindekiler ve F[DÜŞÜNÜye Olmayanlar İçindekiler)

Total Power Dissipation

Toplam güç dağılımı, iletim ve kayıpların toplamıdır:

[FONT:0)P) Toplam[DÜDÜ:2) = P) + P[FLT: 7)[FLT: 7)[D)[D)[D)[D)[D)

Ek düşünceler

Cihaz sıcaklığı, kapı şarjı ve düzeni gibi faktörler güç dağılımını etkileyebilir. Proper ısı battı ve cihaz seçimi yüksek frekanslı geçiş sırasında termal performansı yönetmek için önemlidir.