Bir bipolar bir kavim transistör (BJT) küçük imza parametrelerini anlamak, yüksek frekanslı devreleri tasarlamak için önemlidir. Bu parametreler, küçük giriş sinyallerine maruz kaldığı zaman, özellikle de yüksek frekanslarda parasitik etkiler önemli hale gelir.

Bir BJT'nin küçük işaretli parametreleri

İlk küçük imzalı parametreler transkondüktör (gm), giriş direnci (r:) ve mevcut kazanç (H) Bu parametreler transistör DC özelliklerinden elde edilir ve AC analizinde davranışını modellemek için kullanılır.

Transconductance (gm) hesaplamak

Transconductance (gm) BJT'nin giriş sinyalini nasıl etkili bir şekilde genişletdiğini gösterir. İşletim noktasında koleksiyoncu mevcut (IC) kullanılarak hesaplanır:

[FONT=0)gm = IC / VT).

VT termal gerilim nerede, oda sıcaklığında yaklaşık 25 mV.

Giriş Direnişi Hesaplamak (rETA)

Giriş direnci, rIM, girişin BJT'nin üssüne bakmasını modeller:

[0]r: {/01/2012

Yüksek Lisans Etkileri ve Parasitics

Yüksek frekanslarda, BJT'nin davranışını önemli ölçüde etkileyen temel kapsüllü model gibi parasitik kapasiteler performansları doğru bir şekilde tahmin etmek için dahil edilir.

Bu etkiler için dikkate almak için tipik yöntemler, hibrit-IM modelini kullanarak ve analizdeki parasitik kapasitanslar dahil olmak üzere.Bu yaklaşım yüksek frekanslarda etkin şekilde çalışan devreleri tasarlamaya yardımcı olur.