Yarı iletkenleri yüksek güç elektronik cihazlarında temel bileşenlerdir. Kontrol edilen iletime izin verirken, bu malzemeler arkasındaki mühendislik ilkeleri talep edilen uygulamaları optimize etmeye yardımcı olur.

Yarı iletkenlerin malzeme özellikleri

Yarı iletkenler yüksek dirençlilik ile karakterize edilir, genellikle 10.5 ohm-centimeters. Bu yüksek dirençlilik sonuçları, serbest taşıyıcı konsantrasyonunu bastıran kasıtlı doping veya intrinsic defn mühendisliğinden kaynaklanır. Common material include galium arsenide (GaAs) ve silikon silikonu (SiC), geniş bantgap ve termal stabiliteleri nedeniyle yüksek güç uygulamaları için uygundur.

Enhancing Yalıtım için Mühendislik Teknikleri

Çeşitli teknikler yarı kaynaklı özellikleri elde etmek ve korumak için kullanılır. Bunlar, kromat veya kullanım alanı gibi derin seviyeli boşluklarla, hangi tuzak serbest taşıyıcılar ek olarak, kristal büyüme sırasında kontrol edilen kusur girişleri, üniformayı sağlar ve yalıtımları azaltılabilir kusurları azaltır.

Yüksek güç cihazları için tasarım göz önüne alınır

Yüksek güç cihazları yarı iletkenleri ile tasarlayın, ısı dağılımını ve elektrik alanı dağıtımını yönetmeyi içerir. Yüksek dirençlilik sızıntı akımlarını önlemeye yardımcı olur, ancak cihaz yapıları aynı zamanda termal genişleme ve mekanik streslere de sahiptir. Proper doping seviyelerini ve cihaz geometrileri performans ve uzun ömürlülüğü optimize etmek için kritiktir.

Yarı iletkenlerin uygulamaları

  • Yüksek frekanslı mikrodalga cihazlar
  • Güç yükselteçleri
  • Radyo frekansı bütünleşik devreler
  • Yüksek gerilim anahtarları